[實用新型]新型巨磁阻集成電流傳感器

無效

• 申請號: 200920153359.7
• 申請日: 2009-06-19
• 公開（公告）號: CN201622299U
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 錢正洪
• 申請（專利權）人: 錢正洪
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R15/20
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所 33206
• 代理人: 戴曉翔

1.新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于包括：位于基底上的4個GMR磁敏電阻單元及其電連接所構成的GMR惠斯通電橋、位于GMR惠斯通電橋上方的集成電流導線，所述的集成導線和GMR惠斯通電橋之間由一層絕緣層隔離。

2.根據權利要求1所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的GMR磁敏電阻單元是由GMR自旋閥材料刻蝕成的蛇形電阻組成。

3.根據權利要求2所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的GMR自旋閥材料是多層膜結構，包括自上而下依次排列的釘扎層、被釘扎層、非磁透明層和自由鐵磁層。

4.根據權利要求3所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的自由鐵磁層材料可為NiFeCo合金層、CoFe合金層或兩種合金組合的復合層。

5.根據權利要求3所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的非磁透明層是Cu金屬層。

6.根據權利要求3所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的被釘扎層可為NiFeCo合金層、CoFe合金層或排列次序為CoFe合金層/Ru金屬層/CoFe合金層的復合層。

7.根據權利要求3所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的釘扎層可為IrMn合金層、NiMn合金層、PtMn合金層或CrPtMn合金層。

8.根據權利要求1-7任一權利要求所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的4個GMR磁敏電阻單元和集成電流導線上方設置有由高磁導率的軟磁材料Ni、Fe、NiFe合金、NiFeB合金的一種或多種組成的軟磁屏蔽層。

9.根據權利要求1-7任一權利要求所述的新型巨磁阻集成電流傳感器，其特征在于所述的4個GMR磁敏電阻單元包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻，所述的第一電阻和第三電阻位于集成電流導線的輸入段，所述的第二電阻和第四電阻位于集成電流導線的輸出段，所述的4個GMR磁敏電阻單元與集成電流導線的相對位置形成輸出“推-拉結構”。