[實用新型]改良型光傳感器有效
| 申請號： | 200920149922.3 | 申請日： | 2009-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN201478335U | 公開（公告）日： | 2010-05-19 |
| 發明（設計）人： | 周文隆;朱倪廷 | 申請（專利權）人： | 鼎元光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/115 | 分類號： | H01L31/115;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周長興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改良 傳感器 | ||
1.一種改良型光傳感器，其特征在于，包括：
一基體，具有一第一電極部和一第二電極部；
一受光芯片，設置于該基體上，該受光芯片還分別與該基體的第一、二電極部彼此電性連接；以及
一鍍膜，形成于該受光芯片上，該鍍膜是濾掉可見光而保留不可見光。
2.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該受光芯片與基體之間的鄰接側具有一電性接觸部，該電性接觸部接觸于該基體的第一、二電極部的其中之一，該受光芯片與該基體的第一、二電極部的其中另一之間電性連接有一導線。
3.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該受光芯片與所述第一、二電極部的其中之一之間連接有一第一導線，該受光芯片與所述第一、二電極部的其中另一之間連接有一第二導線。
4.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該鍍膜包含：金屬材料層、聚合物層、介電材料層以及化合物材料層中的任一層。
5.如權利要求4所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含：氮化鈦層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
6.如權利要求4所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含：氮化鈦層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數層且彼此堆疊。
7.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該鍍膜包含：金屬材料層、聚合物層、介電材料層以及化合物材料層中的任多數層且彼此堆疊。
8.如權利要求7所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含：氮化鈦層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
9.如權利要求7所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含：氮化鈦層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數層且彼此堆疊。
10.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，其中該基體為一電路板，該受光芯片電性設置于該電路板上。
11.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該基體上進一步包覆有一封膠體，該封膠體包覆于該基體、受光芯片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為供光線穿透的膠體。
12.如權利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該基體上進一步包覆有一封膠體，該封膠體包覆于該基體、受光芯片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為濾掉可見光而保留不可見光的膠體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
