[實用新型]壓控三次泛音晶體振蕩器

無效

• 申請號: 200920144665.4
• 申請日: 2009-02-26
• 公開（公告）號: CN201360238Y
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 胡志雄;王洪斌;張立強;王海艷;王曉魁
• 申請（專利權）人: 唐山晶源裕豐電子股份有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/08
• 代理公司: 唐山永和專利商標事務所
• 代理人: 張云和

技術領域：

本實用新型涉及一種晶體振蕩器，具體的說是一種壓控三次泛音晶體振蕩器。

背景技術：

現有的壓控晶體振蕩器，采用的都是基頻晶體振蕩模式。由于受到晶體加工工藝的制約，普通的AT切基頻晶體，其頻率無法做的很高，只有1-50MHz。假如頻率再高，則晶片厚度將會更薄，不但加工時的工藝難度增加，而且晶體抗沖擊振動的能力急劇下降，嚴重影響使用時的可靠性。

目前國內尚無采用三次泛音晶體諧振器制作壓控振蕩器的原因，是因為無法解決因泛音晶體頻率牽引小而導致的振蕩器的壓控范圍過窄的難題。因此目前國內壓控石英晶體振蕩器沒有超過百兆赫茲的產品。

而現如今做百兆以上頻率的壓控晶體振蕩器的廠家且均采用高基頻晶體。由于其加工工藝的難度所在，其制作成本將會高數十倍甚至數百倍，所以由于其費用過高，難以廣泛應用。

發明內容：

本實用新型號的目的在于克服背景技術之不足而提供一種壓控三次泛音晶體振蕩器。

本實用新型采用如下技術方案：

一種壓控三次泛音晶體振蕩器，包括三次泛音晶體諧振器，同向放大器，可變電抗網絡，在同向放大器和可變電抗網絡的輸出端連接由基頻抑制電路與并聯加感展寬電路構成的復合電路。

采用上述技術方案的本實用新型與現有技術相比，能夠大幅度提高振蕩器的使用范圍，并且頻率范圍的升高減少了應用時倍頻所帶來的噪聲，提高了系統的性能，所使用的三次泛音晶體振蕩器，其晶片厚度是基頻晶片厚度的三倍，提高了抗沖擊振蕩能力，可靠性得到增強。

附圖說明：

圖1是本實用新型的電路方框圖。

圖2是本實用新型的電路原理圖。

具體實施方式：

下面結合附圖及實施例詳述本實用新型：

一種壓控三次泛音晶體振蕩器，參見附圖1和附圖2；其中：三次泛音晶體諧振器1，可變電抗網絡2，同向放大器3，復合電路4，信號輸出裝置5組成。

復合電路4由基頻抑制電路6和并聯加感展寬電路7組成。

如圖1所示三次泛音晶體諧振器1的兩端分別與同向放大器3和可變電抗網絡2連接，在同向放大器3的共射級輸出端與可變電抗網絡2的輸出端連接有基頻抑制電路6，并聯加感展寬電路7與基頻抑制電路6并聯并構成復合電路4。

基頻抑制電路6中的電容C₉與電感L₁串聯并與同向放大器中的電阻R₉的一端連接；并聯加感展寬電路7中的電容C₈與基頻抑制電路中的電容C₉與電感L₁構成的串接電路并聯，并與共同向放大器3中的電阻R₉的一端連接；并聯加感展寬電路7中的電容C₈其選擇條件滿足基頻抑制電路6和并聯加感展寬電路7構成的復合電路4其頻率略大于三次泛音晶體諧振器的頻率f_n，即滿足：

(2πfnL1-12πfnC9)-12πfnC8<0.]]>

本實施例中為C₈＝43pF，L₁＝68nH，C₉＝270pF，其最結果為-0.02，其值小于0，滿足呈感性電路的要求。

信號輸出裝置5與同向放大器3的電容C₂的一端連接，復合電路4的功能一是抑制基頻，二是并聯加感，使得在基頻抑制的同時大幅度的展寬三泛音晶體諧振頻率的牽引范圍。

本實施例利用了價格低廉的三次泛音晶體諧振器1，使得壓控晶體振蕩器的頻率可以很容易提高到150MHZ；其壓控范圍可以達到±100ppm，且因使用了三次泛音晶體諧振器1，由于其Q值比基頻晶體高很多，所以相位噪聲可以得到很好的改善，其指標可達到-140dB@1kHZ(122.88MHZ)；該壓控三次泛音晶體振蕩器能夠大幅度提高振蕩器的使用范圍，并且頻率范圍的升高減少了應用時倍頻所帶來的噪聲，提高了系統的性能，所使用的三次泛音晶體振蕩器，其晶片厚度是基頻晶片厚度的三倍，提高了抗沖擊振蕩能力，可靠性得到增強。