[實用新型]復合型電磁水處理系統(tǒng)裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920128825.6 | 申請日: | 2009-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN201501810U | 公開(公告)日: | 2010-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 熊蘭;何為;蔣飏;楊子康;王博;席朝輝;侯文生 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶大學 |
| 主分類號: | C02F1/48 | 分類號: | C02F1/48 |
| 代理公司: | 重慶市前沿專利事務(wù)所 50211 | 代理人: | 余錦曦 |
| 地址: | 400030 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復合型 電磁 水處理 系統(tǒng) 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于一種水處理裝置,特別是涉及復合型電磁水處理系統(tǒng)裝置。
背景技術(shù)
目前,工業(yè)循環(huán)水冷卻裝置處理生物粘泥和水垢所采用的方法主要是化學方法,在水中加入阻垢劑和殺生劑,這導致處理成本增加,產(chǎn)生二次污染。
目前采用電磁水處理裝置對循環(huán)冷卻水中的生物粘泥或水垢進行處理,這在一定條件下很好地減少了循環(huán)冷卻水中的生物粘泥或水垢,但這種方法不能同時除去循環(huán)冷卻水中的生物粘泥和水垢。
現(xiàn)有技術(shù)的缺點是:產(chǎn)生二次污染,不能同時對循環(huán)冷卻水中的生物粘泥和水垢進行處理。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的問題在于提供一種無二次污染的復合型電磁水處理系統(tǒng)裝置,能夠同時對循環(huán)冷卻水中的生物粘泥和水垢進行處理。
為達到上述目的,本實用新型提供著一種復合型電磁水處理系統(tǒng)裝置,包括蓄水容器,該蓄水容器出水口與其入水口管路連接,其關(guān)鍵在于:所述蓄水容器出水口與其入水口管路上連接有高壓脈沖處理器和高頻脈沖處理器,所述高壓脈沖處理器的入水口與所述蓄水容器的出水口連接,所述高壓脈沖處理器的出水口與所述高頻脈沖處理器的入水口連接,該高頻脈沖處理器的出水口與所述蓄水容器入水口連接。
所述蓄水容器出水口與其入水口管路上還連接有水泵。
水泵從蓄水容器中抽取水,并把抽取的水送入高壓脈沖處理器中,高壓脈沖處理器對送入水進行高壓脈沖處理,高壓處理后的水在水泵動力作用下進入高頻脈沖處理器,高頻脈沖處理器對進入其內(nèi)的水進行高頻脈沖處理,高頻脈沖處理后的水在水泵動力作用下流回蓄水容器中,如此蓄水容器中的水在系統(tǒng)裝置中循環(huán)流動。
這種復合型電磁水處理系統(tǒng)裝置裝置能夠同時對循環(huán)冷卻水中的生物粘泥和水垢進行處理。
所述高壓脈沖處理器設(shè)置有高壓脈沖處理腔和高壓脈沖信號發(fā)生電路,所述高壓脈沖處理腔包括圓柱形的高壓脈沖處理腔體、正極板和負極板,所述正極板和負極板平行安裝在高壓脈沖處理腔體內(nèi),且與高壓脈沖處理腔體軸向平行;
所述高壓脈沖信號發(fā)生電路設(shè)置有變壓器,該變壓器輸入線圈兩端接市電,輸出線圈與整流橋兩輸入端連接,該整流橋輸出正端與第一電阻的首端連接,該第一電阻的尾端與第一電解電容的正端連接,該第一電解電容的負端接地,所述第一電解電容的正端還與第一IGBT的源極連接,該第一IGBT的柵極連接有控制電路,漏極連接有充氫閘流管的柵極,所述充氫閘流管的陽極與所述正極板連接,陰極接地,該陰極還與所述負極板連接,所述充氫閘流管的陰極熱絲正端接6.3V低壓交流電,陰極熱絲負端接地;
所述整流橋輸出正端還連接有第二電解電容的正端,該有第二電解電容的負端接地。
高壓脈沖信號發(fā)生電路把市電升壓、整流、濾波后加到第一IGBT的集電極,第一電容儲存電能,控制電路控制第一IGBT的開通與關(guān)斷,第一IGBT關(guān)斷時,第一電容處于充電狀態(tài),第一IGBT導通時,第一電容放電,從而產(chǎn)生驅(qū)動脈沖,驅(qū)動充氫閘流管工作,產(chǎn)生幅度在10kV以上的脈沖高電壓,脈沖高電壓加到高壓脈沖處理腔體內(nèi)平行安裝的正極板和負極板上,對進入高壓脈沖處理器內(nèi)的水進行高電壓殺菌,從而很好地抑制、減少了生物粘泥的產(chǎn)生。
所述控制電路設(shè)置有隔離保護芯片和驅(qū)動芯片,該隔離保護芯片的輸入正端+接正電壓,輸入負端-外部獲取脈沖控制信號,該隔離保護芯片的輸出端與所述驅(qū)動芯片的輸入端連接,該驅(qū)動芯片的輸出端串第三電阻后與所述第一IGBT的柵極連接。
隔離保護芯片接收控制脈沖信號,輸出處理后的控制脈沖信號到驅(qū)動芯片的輸入端,該驅(qū)動芯片的輸出端輸出脈沖信號,控制第一IGBT的開通與關(guān)斷,實現(xiàn)控制充氫閘流管的工作。
所述高頻脈沖處理器設(shè)置有高頻脈沖處理腔和高頻脈沖信號發(fā)生電路,所述高頻脈沖處理腔包括圓柱形的高頻脈沖處理腔體和金屬棒,該金屬棒安裝在高頻脈沖處理腔體的中部,且與高頻脈沖處理腔體的軸向一致。
所述高頻脈沖信號發(fā)生電路設(shè)置有溫度檢測電路、磁場檢測電路、MCU、通訊接口電路、液晶顯示電路和信號發(fā)生電路,所述溫度檢測電路的輸出端與所述MCU第一輸入端連接,磁場檢測電路的輸出端與所述MCU第二輸入端連接,該MCU的第一輸出端與所述信號發(fā)生電路輸入端連接,該MCU第二輸出端與所述液晶顯示電路輸入端連接,所述MCU還與所述通訊接口電路雙向連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶大學,未經(jīng)重慶大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920128825.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





