[實用新型]高可靠厚膜混合集成電路鍵合系統有效
| 申請號: | 200920125720.5 | 申請日: | 2009-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN201498510U | 公開(公告)日: | 2010-06-02 |
| 發明(設計)人: | 蘇貴東;楊成剛;周正鐘;殷坤文 | 申請(專利權)人: | 貴州振華風光半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 貴陽中工知識產權代理事務所 52106 | 代理人: | 劉安寧 |
| 地址: | 550018 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可靠 混合 集成電路 系統 | ||
1.一種高可靠厚膜混合集成電路鍵合系統,包括陶瓷襯底(1)、管腳(2)、芯片(3)和厚膜基片(4),其特征在于鍵合系統是間接鍵合的鍵合系統,其厚膜基片(4)由4個金導帶(5)和1個阻帶(6)構成,芯片(3)固定在厚膜基片(4)的第2金導帶(5)之上;當管腳(2)端面鍍鎳時,第1金導帶(5)上有鎳或鋁鍵合區(7),芯片(3)上有鋁鍵合區(8),第4金導帶(5)上有多層過渡性薄膜(9),各個鍵合區通過硅鋁絲(10)鍵合,管腳(2)與基片之間通過硅鋁絲(10)鍵合;當管腳(2)端面鍍金時,第1金導帶(5)上有由金鍵合區(11)和鎳或鋁鍵合區(7)所形成雙鍵合區,芯片(3)上有鋁鍵合區(8),第3金導帶(5)上有多層過渡性薄膜(9),各個鍵合區通過硅鋁絲(10)鍵合,管腳(2)與基片之間通過金絲(12)鍵合。
2.如權利要求1所述的鍵合系統,其特征在于所述當管腳(2)端面鍍金時,第1金導帶(5)上有由金鍵合區(11)和鎳或鋁鍵合區(7)所形成的雙鍵合區,同時兼容金絲(12)和硅鋁絲(10)鍵合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





