[實(shí)用新型]晶體硅太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920122909.9
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN201752016U
• 公開（公告）日: 2011-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃麟
• 申請（專利權(quán)）人: 黃麟
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0232
• 代理公司: 紹興市越興專利事務(wù)所 33220
• 代理人: 方劍宏

1.一種晶體硅太陽能電池，其結(jié)構(gòu)依次為正面柵狀金屬電極(32)、窗口層(33)、第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)、第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)、背面電極(39)，其中，所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)與所述的第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)一起構(gòu)成同質(zhì)p-n結(jié)，所述的窗口層(33)對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥70％；所述的晶體硅太陽能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻≤4Ω。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)的厚度≤400nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)的厚度為10～200nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述的晶體硅太陽能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻為≤3Ω。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述的窗口層(33)對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥85％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：在窗口層(33)與第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)之間增加一層雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)，所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個整體，該整體對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥70％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個整體，該整體對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥85％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于：在背面電極(39)與第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)之間增加一層第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(38)。?