[實(shí)用新型]晶體硅太陽(yáng)能電池無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920122909.9 | 申請(qǐng)日： | 2009-06-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN201752016U | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃麟 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 黃麟 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/042 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/042;H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 紹興市越興專(zhuān)利事務(wù)所 33220 | 代理人： | 方劍宏 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其結(jié)構(gòu)依次為正面柵狀金屬電極(32)、窗口層(33)、第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(35)、第一導(dǎo)電類(lèi)型輕摻雜晶體硅襯底(37)、背面電極(39)，其中，所述的第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(35)與所述的第一導(dǎo)電類(lèi)型輕摻雜晶體硅襯底(37)一起構(gòu)成同質(zhì)p-n結(jié)，所述的窗口層(33)對(duì)AM1.5條件下的太陽(yáng)光譜中波長(zhǎng)在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽(yáng)光的平均透過(guò)率≥70％；所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻≤4Ω。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(35)的厚度≤400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(35)的厚度為10～200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻為≤3Ω。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的窗口層(33)對(duì)AM1.5條件下的太陽(yáng)光譜中波長(zhǎng)在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽(yáng)光的平均透過(guò)率≥85％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：在窗口層(33)與第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(35)之間增加一層雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)，所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個(gè)整體，該整體對(duì)AM1.5條件下的太陽(yáng)光譜中波長(zhǎng)在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽(yáng)光的平均透過(guò)率≥70％。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個(gè)整體，該整體對(duì)AM1.5條件下的太陽(yáng)光譜中波長(zhǎng)在0.39～1.1μm范圍內(nèi)的太陽(yáng)光的平均透過(guò)率≥85％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：在背面電極(39)與第一導(dǎo)電類(lèi)型輕摻雜晶體硅襯底(37)之間增加一層第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層(38)。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
