[實(shí)用新型]晶體硅太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920122909.9 | 申請日: | 2009-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN201752016U | 公開(公告)日: | 2011-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃麟 | 申請(專利權(quán))人: | 黃麟 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 紹興市越興專利事務(wù)所 33220 | 代理人: | 方劍宏 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體 太陽能電池 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池,其結(jié)構(gòu)依次為正面柵狀金屬電極(32)、窗口層(33)、第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)、第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)、背面電極(39),其中,所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)與所述的第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)一起構(gòu)成同質(zhì)p-n結(jié),所述的窗口層(33)對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39~1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥70%;所述的晶體硅太陽能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻≤4Ω。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)的厚度≤400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:所述的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)的厚度為10~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:所述的晶體硅太陽能電池的每平方厘米上的串聯(lián)電阻為≤3Ω。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:所述的窗口層(33)對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39~1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥85%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:在窗口層(33)與第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(35)之間增加一層雜質(zhì)缺陷阻擋層(34),所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個整體,該整體對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39~1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥70%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:所述的雜質(zhì)缺陷阻擋層(34)和所述的窗口層(33)作為一個整體,該整體對AM1.5條件下的太陽光譜中波長在0.39~1.1μm范圍內(nèi)的太陽光的平均透過率≥85%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7任意一項(xiàng)所述的晶體硅太陽能電池,其特征在于:在背面電極(39)與第一導(dǎo)電類型輕摻雜晶體硅襯底(37)之間增加一層第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層(38)。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





