[實(shí)用新型]光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920118429.5
• 申請日: 2009-04-23
• 公開（公告）號: CN201434945Y
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李九生
• 申請（專利權(quán)）人: 中國計(jì)量學(xué)院
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00;H04B10/155
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于包括硅片(1)、空氣孔(2)、可調(diào)制的半導(dǎo)體激光器(3)、太赫茲波源(4)、線缺陷區(qū)輸入端

(5)、線缺陷區(qū)輸出端(6)、線缺陷區(qū)(7)，硅片(1)上中間設(shè)有線缺陷區(qū)(7)，在線缺陷區(qū)(7)兩側(cè)的硅片(1)上開有空氣孔(2)，由硅片(1)、空氣孔(2)、和線缺陷區(qū)(7)構(gòu)成平板式硅光子晶體，在線缺陷區(qū)(7)的上方設(shè)有可調(diào)制的半導(dǎo)體激光器(3)，由太赫茲波源(4)發(fā)出的太赫茲波由線缺陷區(qū)輸入端(5)輸入，通過線缺陷區(qū)(7)，經(jīng)線缺陷區(qū)輸出端(6)輸出，所述的太赫茲波源(1)為返波振蕩器BWO。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制器裝置，其特征在于所述的硅片(1)的折射率為3.4～3.8，硅片厚度0.4～1.0mm，硅片的電阻率1000～10000Ωcm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的空氣孔(2)的半徑為40～200μm，空氣孔(2)的周期為80～250μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的線缺陷區(qū)(7)的寬度為1～5個(gè)空氣孔(2)的周期。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的可調(diào)制的半導(dǎo)體激光器(3)的工作波長為680～900nm，功率5～500mW，調(diào)制速度為50KHz/s～1GHz/s。