[實用新型]外腔大功率三有源區(qū)光子晶體垂直腔面發(fā)射半導體激光器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920109744.1 | 申請日： | 2009-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN201435526Y | 公開（公告）日： | 2010-03-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 徐晨;解意洋;劉英明;王寶強;闞強;王春霞 | 申請（專利權）人： | 北京工業(yè)大學 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/14;H01S5/06;H01S5/065 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 劉 萍 |
| 地址： | 100124*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 有源 光子 晶體 垂直 發(fā)射 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.外腔大功率三有源區(qū)光子晶體垂直腔面發(fā)射半導體激光器，其特征在于：
從下至上依次為：背面電極、襯底、下DBR、由反向隧道結級聯(lián)的多個單有源區(qū)構成的多有源區(qū)；氧化限制層，氧化限制層中心為氧化孔徑為10-30μm的氧化孔；上DBR；P型歐姆接觸層；上金屬電極；
刻蝕上DBR中1-3微米制作出缺陷型光子晶體結構；缺陷型光子晶體結構的周期為1-7個微米，占空比小于0.7；光子晶體缺陷腔被至少3圈孔徑為0.5-5微米空氣孔包圍。
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