[實用新型]低維納米材料顯微結構與電學性能測試裝置無效
| 申請號: | 200920107022.2 | 申請日: | 2009-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN201637699U | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發明(設計)人: | 韓曉東;劉攀;張澤 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | G01N23/04 | 分類號: | G01N23/04;G01N27/00;G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 材料 顯微結構 電學 性能 測試 裝置 | ||
【權利要求書】:
1.一種低維納米材料顯微結構與電學性能測試裝置,其特征在于:
在襯底的上方是非晶層,下方是阻擋層,阻擋層和襯底的中間部分被刻蝕掉形成窗口,在非晶層上是金屬電極,金屬電極之間是低維納米材料,低維納米材料位于非晶層上對著窗口的正上方,低維納米材料上是非晶阻擋層,金屬電極上引出導線。
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