[實用新型]一種吸峰電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920091577.2 | 申請日: | 2009-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN201413772Y | 公開(公告)日: | 2010-02-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 向曉瓊;彭華 | 申請(專利權)人: | 來恩偉業(yè)(鶴壁)電子科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/015 |
| 代理公司: | 鄭州中原專利事務所有限公司 | 代理人: | 張紹琳 |
| 地址: | 458030河南省鶴*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電容器 | ||
技術領域
本實用新型屬于電容器技術領域,具體涉及一種吸峰電容器。
背景技術
多晶硅是生產半導體和太陽能電池的基礎材料,在未來50年內,多晶硅是電子和光伏產業(yè)的主要原材料,目前各國均在發(fā)展多晶硅生產能力和裝備。太陽能電池用多晶硅已經占到多晶硅產量的90%以上,而多晶硅還原爐多檔調壓器是多晶硅生產的關鍵設備。調壓器所帶負載是可控硅棒串聯(lián)而成的純電阻負載,現(xiàn)有技術中存在的問題是可控硅在非工作檔承受較大的電壓尖峰和較大的dv/dt(電壓隨時間的變化率),使非工作檔可控硅誤導通至損壞。
實用新型內容
本實用新型的目的是要解決多晶硅還原爐調壓器用可控硅易損壞,而現(xiàn)有可控硅在非工作檔需要承受較大的電壓尖峰和dv/dt等問題,提供一種縮小電壓尖峰和限制dv/dt的吸峰電容器。
本實用新型的技術方案是以下述方法實現(xiàn)的:
本實用新型的吸峰電容器,包括外殼和引線,外殼內設有填充層,填充層內封裝下套,填充層內部設有芯子,芯子兩端面設置噴金層,所述芯子包括芯軸,芯軸外包裹有至少一圈金屬化膜層,金屬化膜層的一側設有白膜層I,白膜層I的一側設有鋁箔層,鋁箔層的一側設有白膜層II。
所述的芯軸外包裹有1~4圈金屬化膜層。
所述鋁箔層至少包括一片鋁箔。
所述鋁箔層包括兩片鋁箔。
所述的金屬化膜層由聚丙烯層和鋁層組成。
所述白膜層I和白膜層II是聚丙烯材質組成的膜。
現(xiàn)有技術中電容器由白膜層和金屬膜層兩層纏繞在芯軸上組成,本實用新型采用鋁箔層、白膜層I、金屬膜層和白膜層II四層纏繞在芯軸上組成。與現(xiàn)有電容器相比,本實用新型加上鋁箔層后,能吸收較大的電流,采用兩層介質白膜,耐壓能力強,能承受較大的電壓尖峰和dv/dt。鋁箔層由兩片或兩片以上的鋁箔串聯(lián)組成,則進一步增強了電容器的耐壓能力。電容器的兩個極分別采用聚丙烯金屬化膜和鋁箔,使電容器既能吸收大電流又具有自愈功能。采用本實用新型的電容器并聯(lián)在可控硅兩端,電容器將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容器中,縮小了可控硅兩端的電壓尖峰,限制了dv/dt,起到了保護可控硅、防止可控硅誤導通而損壞的作用。
附圖說明
圖1為本實用新型的剖視示意圖;
圖2為本實用新型中芯子的主視示意圖;
圖3為本實用新型中芯子的左視示意圖;
圖4為實施例1中不帶芯軸的芯子的展開示意圖;
圖5為金屬化膜層的展開結構示意圖;
圖6為實施例2中不帶芯軸的芯子的展開示意圖。
具體實施方式
實施例1
如圖1所示,本實用新型包括外殼6和引線1,外殼6內設有填充層5,填充層5內封裝下套4,填充層5內部封裝芯子3,芯子3兩端面設置噴金層10,所述兩條引線1一條焊接在噴金層10上,另一條通過芯軸2焊在另一端噴金層上。
如圖2、圖3和圖4所示,所述芯子3包括芯軸2,芯軸2外包裹有一圈金屬化膜層11,金屬化膜層11的一側設有白膜層I?8,白膜層I?8的一側設有鋁箔層9,鋁箔層9的一側設有白膜層II?13,所述鋁箔層9有一片鋁箔組成。
所述白膜層I?8和白膜層II?13是聚丙烯材質組成的膜。
如圖5所示,所述的金屬化膜層11包括聚丙烯層7和鋁層12。
所述的芯軸2外包裹的金屬化膜層11還可以是兩圈、三圈或者四圈。
由于可控硅耐受過電壓能力極差,當電路中電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間極短,可控硅也容易損壞。如果正向電壓超過其轉折點時,可控硅則誤導通,這種誤導通次數頻繁時,也可能使元件損壞、可控硅的特性下降。本實用新型的采用鋁箔層、白膜層I、金屬膜層和白膜層II四層纏繞在芯軸上組成。能吸收較大的電流,采用兩層介質白膜,耐壓能力強,能承受較大的電壓尖峰和dv/dt。電容器的兩個極分別采用聚丙烯金屬化膜和鋁箔,使電容器又具有自愈功能。將本實用新型并聯(lián)在可控硅兩端,當有反向電壓或者電壓隨時間變化有較大的電壓尖峰時,電容器將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容器中,縮小了加載到電容器兩端電壓尖峰、限制了dv/dt對可控硅的影響。當電容器兩端施加過高的電壓時,聚丙烯薄膜被擊穿,擊穿點阻抗明顯降低,流過的電流密度急劇增大,使金屬鍍層產生高熱,擊穿點周圍的金屬導體迅速蒸發(fā)逸散,形成了金屬鍍層空白區(qū),擊穿點自動回復絕緣,這樣電容器自身又具有自愈功能。進一步確保了與電容器并聯(lián)的可控硅使用的安全性。
實施例2
如圖6所示,所述鋁箔層9包括兩片鋁箔。鋁箔層9由兩片鋁箔串聯(lián)組成時,能進一步增強了電容器的耐壓能力。或者所述鋁箔層由三片鋁箔組成,其它同實施例1。
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