[實用新型]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 200920077812.0
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN201503847U
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 倪圖強
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/02;H05H1/46;H01L21/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置包括：

由導電材料制成的反應腔；

設置于反應腔內的一第一電極；

設置于反應腔內與第一電極相對設置的一第二電極；

一射頻功率源與第二電極相連接，用以提供射頻功率而在第一電極及

第二電極之間形成射頻電場和形成等離子體；

一基座設置于反應腔內用于支撐被處理的基片或晶片；

一介電體圍繞所述基座，并包圍所述基座中的第二電極外側面的；

一射頻能量引導元件，其由導電材料制成并且在等離子體處理過程中電浮地，所述射頻能量引導元件包括：

一覆蓋部，設置于介電體外側并至少部分包圍該介電體中的第二電極外側面的一部分；以及

一向內延伸部，其一端與所述覆蓋部相交，其相對的另一端向靠近基座的一側延伸。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述介電體包括一外側面及與該外側面相交的一上表面，所述向內延伸部設置于該介電體的上表面上方并且至少部分覆蓋該介電體的上表面。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述介電體包括一外側面及與該外側面相交的一上表面，所述向內延伸部設置于該介電體的上表面下方的某一位置并且內嵌于該介電體內。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述覆蓋部與向內延伸部相交之處沿豎直方向截面后所形成的交角為90度。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述覆蓋部與向內延伸部相交之處沿豎直方向截面后所形成的交角為65度至135度之間。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件由金屬材料制成。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件由鋁制成。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件至少部分表面作陽極化處理。

9.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的向內延伸部上方進一步設置有一由介電材料制成的覆蓋環，所述覆蓋環覆蓋該射頻能量引導元件的向內延伸部。

10.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的覆蓋部外側進一步設置有一由耐等離子體腐蝕材料制成的遮蔽環，所述遮蔽環包圍射頻能量引導元件的覆蓋部。

11.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的向內延伸部或覆蓋部的外表面涂覆有耐等離子體腐蝕的覆蓋層。

12.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的向內延伸部為一具有內徑與外徑的環狀結構。

13.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的覆蓋部為一筒狀結構。

14.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻能量引導元件的覆蓋部外側進一步設置有一由介電材料制成的遮蔽環，所述遮蔽環包圍射頻能量引導元件的覆蓋部。