[實用新型]高發光率的覆晶式發光二極管

無效

• 申請號: 200920073745.5
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN201466056U
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發明（設計）人: 溫偉值;林藝峰;潘錫明;簡奉任
• 申請（專利權）人: 山東璨圓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種高發光率的覆晶式發光二極管，包含：

一個透明基板；

一個半導體層，設于透明基板上方，且包含一個N型半導體層、一個發光層及一個P型半導體層，其中，發光層介于N型半導體層與P型半導體層之間；

一個透明導電層，設于P型半導體層上方且電性連接至P型半導體層；

一個氧化層，設于透明導電層上方；

一個金屬反射層，設于氧化層上方；

一個導電層，設于氧化層上，以電性連接透明導電層與金屬反射層；

一個擴散保護層，設于金屬反射層上方且電性連接該金屬反射層；

一個第一電極，設于半導體層的N型半導體層上方且電性連接N型半導體層；

一個導熱基板，導熱基板的表面具有第一及第二金屬接合層；

其特征是：發光二極管的第一電極與擴散保護層朝向導熱基板，并分別與第一和第二金屬接合層電性連接。

2.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：導熱基板是選自金、銀或鋁。

3.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：透明導電層、氧化層、金屬反射層與擴散保護層是作為一個第二電極。

4.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：透明基板是選自藍寶石、碳化硅、氧化鋅、磷化鎵、砷化鎵的其中一種。

5.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：N型半導體層為N-GaN層。

6.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：發光層選自InGaN/GaN多重量子井結構、三-五族元素為主的一個半導體量子井結構的其中一種。

7.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：P型半導體層是為P-GaN層。

8.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：第一電極是選自Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/Au、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au的其中一種。

9.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：透明導電層是選自氧化銦、氧化錫、氧化銦鉬、氧化銦鈰、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鎂鋅、氧化錫鎘、氧化銦錫、氧化鎳、Ni/Au、TiN、TaN、CuAlO2、LaCuOS、CuGaO2、SrCu2O2、鉑(Pt)或氧化鎳(NiOx)、氧化銥(IrO)、氧化銠(RhO)、氧化釕(RuO)與金(Au)組合的其中一種。

10.根據權利要求1所述的高發光率的覆晶式發光二極管，其特征是：氧化層是選自二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮化氧硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、ZnO、AlN與BeN的其中一種。