[實用新型]集成有原子層沉積工藝的化學氣相沉積設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920072231.8
• 申請日: 2009-05-14
• 公開（公告）號: CN201560234U
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 甘志銀;王亮;胡少林;陳倩翌;朱海科
• 申請（專利權）人: 廣東昭信半導體裝備制造有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 湯喜友

1.一種集成有原子層沉積工藝的化學氣相沉積設備，包括：化學氣相沉積設備的氣體輸送系統(tǒng)、反應腔、尾氣處理系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)。其特征在于：載氣入口分別與原子層沉積工藝的常開載氣閥(11)及常閉載氣閥(14)連接，常開載氣閥(11)的另一端與尾氣管路連接，常閉載氣閥(14)的另一端與反應腔入口連接，源氣體入口分別與原子層沉積工藝的常開載氣閥(13)及常閉載氣閥(12)連接，常開載氣閥(13)的另一端與反應腔入口連接，常閉載氣閥(12)的另一端與尾氣管路連接。

2.根據權利要求1所述的集成有原子層沉積工藝的化學氣相沉積設備，其特征在于所述控制系統(tǒng)分別控制載氣閥(11)、(12)、(13)、(14)的開啟與關閉，載氣閥為實現高頻響應的氣動閥，載氣閥(11)和(12)共用一個氣路，載氣閥(13)和(14)共用一個輔助氣路，控制系統(tǒng)為可編程邏輯控制器PLC控制二位三通電磁閥。