[實(shí)用新型]一種大功率LED封裝基板無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920070476.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201556637U | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張成邦;姜霞 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 張成邦;姜霞 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 200083 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 大功率 led 封裝 | ||
1.一種大功率LED封裝基板,其特征在于所述基板的陶瓷板(1)是由氧化鋁陶瓷材料或氮化鋁陶瓷材料或碳化硅陶瓷材料組成,所述基板的金屬化層是由純銅材料構(gòu)成的銅金屬化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED封裝基板的銅金屬化層,其特征是所述銅金屬化層的厚度是0.018mm至0.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED封裝基板的銅金屬化層,其特征在于所述的銅金屬化層在陶瓷板(1)的上表面分別設(shè)有芯片焊接區(qū)(2)和正負(fù)電極引線鍵合區(qū)(3),所述的銅金屬化層在陶瓷板(1)的下表面分別設(shè)有芯片散熱焊接區(qū)(7)和正負(fù)電極焊接區(qū)(4),正負(fù)電極引線鍵合區(qū)(3)和正負(fù)電極焊接區(qū)(4)的電氣互連由通孔(5)的內(nèi)壁銅層(6)實(shí)現(xiàn)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于張成邦;姜霞,未經(jīng)張成邦;姜霞許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920070476.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





