[實用新型]半絕緣全封閉電壓互感器有效
| 申請號: | 200920068828.5 | 申請日: | 2009-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN201392727Y | 公開(公告)日: | 2010-01-27 |
| 發明(設計)人: | 王繼元;惠兆鵬;賈建華;胡光遠;劉繼偉 | 申請(專利權)人: | 上海大一互電力電器有限公司 |
| 主分類號: | H01F38/26 | 分類號: | H01F38/26;H01F27/36 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 | 代理人: | 胡 晶 |
| 地址: | 201400上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 封閉 電壓互感器 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電壓互感器,尤其涉及一種半絕緣全封閉電壓互感器。
背景技術
10kV中性點絕緣系統中,廣泛采用PT一次中性點加裝阻尼電阻消除鐵磁諧振的方法。消諧器串接于PT一次繞組中性點與地之間,內部材料為大容量的非線性碳化硅電阻片及散熱片等串聯組裝于瓷套內而成。其工作原理為:在低壓下消諧器呈高電阻值(可達幾百千歐)使諧振在起始階段不易發展,單相接地時,消諧器上出現千余伏電壓,它的非線性電阻下降,使其不影響接地保護的工作。現有的半絕緣全封閉電壓互感器,一次繞組末端(N端)大都是按對地及二次繞組3KV/min的絕緣水平設計。但是單相接地時,半絕緣電壓互感器一次繞組末端(N端)經常出現絕緣擊穿,甚至出現燒毀的情況,經分析燒毀的原因是消諧器上出現的電壓往往高出3KV電壓的絕緣水平,半絕緣電壓互感器一次繞組末端(N端)是對地及二次繞組絕緣水平不夠,造成擊穿。此類現象在全絕緣電壓互感器上從未出現.由于全絕緣電壓互感器同規格參數的體積遠大于半絕緣電壓互感器.限制了全絕緣電壓互感器代替半絕緣電壓互感器的使用.
有必要根據我國的實際情況設計一種對地及二次繞組電壓的絕緣水平在10KV/min以上的半絕緣全封閉電壓互感器,以提高我國工業用電系統的穩定性。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種半絕緣全封閉電壓互感器,具有對地及二次繞組電壓的絕緣水平在10KV/min以上甚至20KV/min以上的特點。
本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現:
半絕緣全封閉電壓互感器,包括一電壓互感器主體,電壓互感器主體包括連接高壓部分的一次繞組,用于輸出電信號的二次繞組,起絕緣、密封和固定作用的密封外殼(環氧樹脂);所述一次繞組的第一端子(A端)用于連接其中一相高壓電線,所述一次繞組的第二端子(N端)用于連接中性點,所述一次繞組的第一端子(A端)、一次繞組的第二端子(N端)固定在所述密封外殼上(環氧樹脂);所述二次繞組的第一端子、二次繞組的第二端子用于輸出電信號,所述二次繞組的第一端子、二次繞組的第二端子固定在所述密封外殼上(環氧樹脂),其特征在于,所述一次繞組的第一端子(A端)固定在所述密封外殼上方,所述二次繞組的第一端子、二次繞組的第二端子,固定在所述密封外殼左側,用于連接中性點的所述一次繞組的第二端子(N端),固定在所述密封外殼右側。
通過增加用于連接中性點的一次繞組的第二端子(N端)與其他端子之間的距離,提高半絕緣全封閉電壓互感器對二次繞組電壓的絕緣水平。在原有的對二次繞組絕緣水平在3KV/min的半絕緣全封閉電壓互感器的基礎上,做上述改進,實驗表明,對地及二次繞組電壓的絕緣水平可以顯著提高。同時又可以相對于原有半絕緣全封閉電壓互感器,不增加體積。
所述密封外殼下方設有一用于接地的金屬板,所述一次繞組的第二端子(N端)與所述金屬板間的距離為80mm至150mm,優選100mm。這樣可以有效增加一次繞組的第二端子與地間的絕緣水平。同時又可以相對于原有半絕緣全封閉電壓互感器,不增加體積。
所述密封外殼上方左右兩側,分別設有若干個拐角。以便有效增加一次繞組的第二端子與其他端子間的爬電距離,提高絕緣水平。
所述一次繞組與二次繞組之間,設有一耐壓值在10KV/min以上甚至20KV/min以上的主絕緣。以提高內部的絕緣水平,防止半絕緣全封閉電壓互感器內部擊穿。
實驗表明根據上述設計,本實用新型具有對地及二次繞組電壓的絕緣水平在10KV/min以上甚至20KV/min以上的特點,而且相對于原有半絕緣全封閉電壓互感器,不需要增加體積,外觀也改變很少。因此原有的工業用電系統中的其他配套設備,可以不做改動。
附圖說明
圖1為本實用新型的整體結構示意圖;
圖2為本實用新型的使用狀態一次繞組電路連接示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體圖示進一步闡述本實用新型。
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