[實(shí)用新型]一種電磁爐電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920054148.8 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN201388307Y | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃昊 | 申請(專利權(quán))人: | 黃昊 |
| 主分類號: | H05B6/06 | 分類號: | H05B6/06;H02H9/00 |
| 代理公司: | 佛山市中迪知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 薛家駒 |
| 地址: | 528427廣東省中山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電磁爐 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電磁爐電路,特別涉及一種結(jié)構(gòu)簡單、抗干擾能力強(qiáng)、不易停振且使用壽命長的電磁爐電路。
背景技術(shù)
圖2為現(xiàn)有電磁灶的電路示意圖,包括橋式整流器BR,濾波電容C1,諧振電容C2,諧振電感L,正端采樣電路R1,R2,負(fù)端采樣電路R3,R4,相位比較器B,鋸齒波發(fā)生電路(C5,R6,D1),PWM比較器E,IGBT驅(qū)動電路(NPN,PNP,R7,R8),IGBT功率開關(guān)管,啟動電容C4組成。其工作過程為:電路接通交流市電ACV后,在A點(diǎn)獲得直流電壓Vdc=1.4Vac。在初始階段,D點(diǎn)和R點(diǎn)均設(shè)定為0電壓,電路處于禁止?fàn)顟B(tài)而不振蕩。工作時,R點(diǎn)先上升為高點(diǎn)平(一般為2~5V),然后D點(diǎn)由0電壓上升為高電平,一般為5伏。此時通過啟動電容C4給出一個啟動脈沖到N點(diǎn),使相位比較器B由高電平下降為低電平,再通過時間控制電容C4使PWM比較器E輸出高電平而開啟IGBT,諧振電容和諧振電感充電。同時,電容C5通過電阻R6充電,電壓上升,經(jīng)時間t后,其電壓上升到高于R點(diǎn)電壓,使PWM比較器C輸出翻轉(zhuǎn)為低電平而關(guān)閉IGBT。此時由于諧振電感的作用使IGBT的C極產(chǎn)生高壓,使P點(diǎn)電壓高于N點(diǎn)電壓而使相位比較器B電壓由低電平上升為高電平。通過電容C5反饋到PWM比較器E使IGBT鎖定在截止?fàn)顟B(tài),直到IGBT的C極電壓因諧振下降使P點(diǎn)電壓小于N點(diǎn)電壓而再次打開IGBT,由此保持電路的振蕩過程。采用該結(jié)構(gòu)的振蕩電路,使用過程中存在以下幾個問題:1、容易受到外界電浪涌干擾而失諧,如果交流市電出現(xiàn)浪涌干擾(如大功率電器,馬達(dá),電焊等啟動瞬間或雷擊),就會使相位比較器B輸出受到干擾而使整個振蕩電路失諧,從而引起IGBT因過流或過壓而損壞。2、容易停振,由于電磁灶輸出功率很大(一般大于1000W),A點(diǎn)的電壓波形為脈動直流電壓,頻率為市電的兩倍(100Hz),波谷電壓為0。電磁灶振蕩頻率一般為20~40kHz,當(dāng)A點(diǎn)電壓處于波谷時,因電源給諧振電路補(bǔ)充能量不足,振蕩處于衰減狀態(tài),此時電路容易停振,尤其在供電電壓不穩(wěn)定地區(qū)更容易停振。3、電路相對復(fù)雜,對鋸齒波發(fā)生電路元件要求高,元件失效容易引起IGBT損壞。4、電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,生產(chǎn)成本高。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、抗干擾能力強(qiáng)、不易停振且使用壽命長的電磁爐電路。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種電磁爐電路,包括整流濾波電路,諧振電路,正端采樣電路,負(fù)端采樣電路,相位比較電路,IGBT功率開關(guān)電路,IGBT功率開關(guān)驅(qū)動電路,MCU主控芯片以及與MCU主控芯片電連接的檢測、控制電路和按鍵、顯示電路;外部交流電源經(jīng)整流濾波電路,諧振電路后,一路經(jīng)IGBT功率開關(guān)電路與IGBT功率開關(guān)驅(qū)動電路電連接,另一路經(jīng)正端采樣電路與相位比較電路的輸入端電連接,所述相位比較電路的另一輸入端連接與整流濾波電路輸出端電連接的負(fù)端采樣電路,其特征在于:所述IGBT功率開關(guān)驅(qū)動電路與MCU主控芯片的輸出腳之間設(shè)有一電平移動電路;所述相位比較電路的輸出端直接與MCU主控芯片的輸入腳電連接。
本實(shí)用新型的積極效果:在IGBT功率開關(guān)驅(qū)動電路與MCU主控芯片的輸出端之間設(shè)置一電平移動電路,相位比較電路的輸出端直接與MCU主控芯片的輸入端電連接,MCU主控芯片的輸入腳不斷偵測相位比較電路輸出端的工作波形,通過計(jì)算后在M腳給出一個連續(xù)跟蹤的驅(qū)動波形,從而實(shí)現(xiàn)電路的諧振,MCU主控芯片起到一個頻率跟蹤器的作用。采用該結(jié)構(gòu)的電路,具有以下工作優(yōu)點(diǎn):1、抗浪涌干擾能力強(qiáng)。由于通過MCU進(jìn)行跟蹤和計(jì)算,在實(shí)際中,計(jì)算軟件引入了低通濾波算法,極限限制濾波算法。使高頻的浪涌脈沖被過濾而不會干擾驅(qū)動波形;2、不會因電壓處于波谷而停振。由于驅(qū)動波形為MCU主控芯片產(chǎn)生而不是電路自激振蕩產(chǎn)生,即使在波谷補(bǔ)充能量不足的情況下也不會因振蕩衰減而停振;3、在電路元件失效的情況下,MCU主控芯片偵測不到正常的諧振波形,不會發(fā)出IGBT啟動信號,從而起到保護(hù)IGBT的作用;4、電路結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn)成本低。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的電磁爐電路方框圖;
圖2為現(xiàn)有技術(shù)的電磁爐電路原理圖;
圖3為本實(shí)用新型電磁爐電路方框圖;
圖4為本實(shí)用新型電磁爐電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型電磁爐電路的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明。
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