[實用新型]太陽能高溫選擇性吸收膜有效
| 申請號： | 200920051272.9 | 申請日： | 2009-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN201373612Y | 公開（公告）日： | 2009-12-30 |
| 發明（設計）人： | 賀冬枚;李皓楨;劉浩;彭啟成;周擁仔;趙華平;陳玉琴 | 申請（專利權）人： | 東莞市康達機電工程有限公司 |
| 主分類號： | F24J2/48 | 分類號： | F24J2/48 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 | 代理人： | 彭長久 |
| 地址： | 523400廣東省東莞市寮*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 高溫 選擇性 吸收 | ||
【權利要求書】：
1、一種太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：依次由濺射在耐高溫基材上的Mo金屬反射層、摻雜Mo金屬的SiO2吸收層、SiO2減反射層及Al2O3減反射層構成。
2、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述基材為管材或板材，系由耐高溫的金屬或非金屬材料制成。
3、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述Mo金屬反射層的厚度在200～300nm之間。
4、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述摻雜Mo的SiO2吸收層為多層狀吸收層，其中，Mo金屬含量由內到外依次降低成梯度。
5、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述摻雜Mo金屬的SiO2吸收層的厚度在150～200nm之間。
6、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述SiO2減反射層的厚度在20～30nm之間。
7、根據權利要求1所述的太陽能高溫選擇性吸收膜，其特征在于：所述Al2O3減反層的厚度在30～60nm之間。
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