[實(shí)用新型]一種塑殼封裝平板晶閘管無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920045387.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201417775Y | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陸小榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陸小榮 |
| 主分類號(hào): | H01L29/74 | 分類號(hào): | H01L29/74;H01L23/04;H01L23/08;H01L23/48 |
| 代理公司: | 鎮(zhèn)江京科專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 夏哲華 |
| 地址: | 212300江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 平板 晶閘管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶閘管技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及塑殼封裝平板晶閘管。
背景技術(shù)
晶閘管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn),從上個(gè)世紀(jì)五十年代末以來,發(fā)展迅猛。在實(shí)際應(yīng)用中,大功率晶閘管整流裝置一般采用平板晶閘管,其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。現(xiàn)有技術(shù)中大功率平板晶閘管的封裝,普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,適合用于晶閘管封裝外殼,但其封裝時(shí)需要經(jīng)過包括焊接在內(nèi)的多道工序,工藝復(fù)雜,成本高,封裝后良率偏低,只能進(jìn)行破壞性地拆封。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于,提出一種塑殼封裝平板晶閘管,對(duì)上述晶閘管應(yīng)用技術(shù)的不足加以改進(jìn)。
本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
一種塑殼封裝平板晶閘管,包括晶閘管芯片和外殼,其特征在于,還包括陽(yáng)極壓塊和陰極壓塊,所述外殼的材料為耐熱絕緣塑料,所述外殼設(shè)有軸向貫通的孔腔,所述晶閘管芯片套在外殼孔腔中,所述外殼晶閘管芯片陰極端部位的殼壁設(shè)有外殼控制線孔,所述陽(yáng)極壓塊和陰極壓塊為金屬材料,所述陰極壓塊設(shè)有線孔,所述陽(yáng)極壓塊的一端固定套在外殼晶閘管芯片陽(yáng)極端的孔腔內(nèi),且與晶閘管芯片陽(yáng)極密接,所述陰極壓塊的一端固定套在外殼晶閘管芯片陰極端的孔腔內(nèi),且與晶閘管芯片陰極密接,所述陰極壓塊的線孔與外殼控制線孔連通。
本實(shí)用新型塑殼封裝平板晶閘管,整體設(shè)計(jì)科學(xué)合理,構(gòu)造簡(jiǎn)單,結(jié)構(gòu)緊湊,密封性好,封裝操作簡(jiǎn)單方便,不改變及影響現(xiàn)有的使用習(xí)慣,適用于大功率晶閘管整流裝置,單只晶閘管工作電流在100A~5000A范圍,其工作時(shí)的散熱性好,適合在惡劣環(huán)境下使用,安全可靠,晶閘管芯片、外殼、陽(yáng)極壓塊和陰極壓塊等部件具有良好的通用互換性,均可反復(fù)循環(huán)使用,既節(jié)約材料,又降低成本。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明,且下述實(shí)施例僅僅是作為說明,并非對(duì)本實(shí)用新型的限制。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型塑殼封裝平板晶閘管裝配結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型塑殼封裝平板晶閘管裝配分解示意圖;
以上附圖中:1-晶閘管芯片;2-陽(yáng)極壓塊;21-陽(yáng)極壓塊定位孔;22-陽(yáng)極壓塊密封槽;23-陽(yáng)極壓塊凸臺(tái);3-墊片;4-外殼;41-陽(yáng)極端孔;42-通孔;43-陰極端孔;44-外殼控制線孔;5-陰極壓塊;51-陰極壓塊凸臺(tái)頭端;52-陰極壓塊控制線孔;53-陰極壓塊凸臺(tái);54-陰極壓塊密封槽;55-陰極壓塊定位孔;56-控制線連接孔。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例一:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陸小榮,未經(jīng)陸小榮許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920045387.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





