[實用新型]高Q值低損耗半模基片集成波導濾波器

有效

• 申請號: 200920044049.1
• 申請日: 2009-06-10
• 公開（公告）號: CN201498573U
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: 翟國華;洪偉;吳柯
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P3/16;H01P3/18
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 葉連生

1.一種高Q值低損耗半模基片集成波導濾波器，其特征在于該濾波器為多層結構，自上至下分別為正面金屬貼片(3)、上層介質基片(1)、中間金屬層(4)、下層介質基片(2)、底層金屬層(5)；在半模基片集成波導濾波器的兩端分別設有輸入端(8)和輸出端(9)，在半模基片集成波導濾波器的上層介質基片(1)和下層介質基片(2)的一側設有一排第一金屬化通孔(7)構成半模基片集成波導濾波器的側壁，并連接正面金屬貼片(3)、中間金屬層(4)和底層金屬層(5)；在下層介質基片(2)的另一側有另一排第二金屬化孔(6)連接中間金屬層(4)和底層金屬層(5)構成半模基片集成波導濾波器的H面金屬壁；在半模基片集成波導濾波器正面金屬貼片(3)或中間金屬層(4)上設有槽縫(10)。

2.根據權利要求1所述的高Q值低損耗半模基片集成波導濾波器，其特征在于所述的正面金屬貼片(3)的平面為“U”形的結構，槽縫(10)設在正面金屬貼片(3)時，槽縫(10)設在該“U”形的結構內的底部，槽縫(10)有多個，位于中間的槽縫最大，位于中間槽縫兩側的其它槽縫依次減小。

3.根據權利要求1所述的高Q值低損耗半模基片集成波導濾波器，其特征在于所述的中間金屬貼片(4)的平面為上大下小的梯形結構，槽縫(10)設在中間金屬層(4)時，槽縫(10)設在中間金屬層(4)的梯形結構上側，槽縫(10)有多個，位于中間的槽縫最大，位于中間槽縫兩側的其它槽縫依次減小。

?