[實(shí)用新型]一種高靈敏度微壓力傳感器芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920041807.4 | 申請日： | 2009-03-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201508260U | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王樹娟;何宇亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫市納微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01L1/18 | 分類號(hào)： | G01L1/18;G01L9/00 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顧吉云 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 靈敏度 壓力傳感器 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高靈敏度微壓力傳感器芯片，其包括硅基襯底、復(fù)合絕緣膜、納米硅力敏電阻、內(nèi)引腳線、絕壓腔，所述硅基襯底的正反面裝有復(fù)合絕緣膜，所述上層復(fù)合絕緣膜上有納米硅力敏電阻，所述納米硅力敏電阻引出內(nèi)引腳線，所述硅基襯底的底部為背大膜區(qū)和背島，所述硅基襯底的底部通過硅玻璃鍵合形成絕壓腔，所述納米硅力敏電阻具體為納米硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高靈敏度微壓力傳感器芯片，其特征在于：所述硅基襯底具體為正反兩面拋光的N型或P型硅基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述所述一種高靈敏度微壓力傳感器芯片，其特征在于：所述復(fù)合絕緣膜具體為SiO2和Si3N4組成的復(fù)合絕緣膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述所述一種高靈敏度微壓力傳感器芯片，其特征在于：所述納米硅層的本征厚度為4μm-6μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述所述一種高靈敏度微壓力傳感器芯片，其特征在于：所述內(nèi)引線覆蓋有合金。
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