[實用新型]硅襯底上外延生長的鋁鎵銦磷發光二極管無效
| 申請號： | 200920021649.6 | 申請日： | 2009-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN201392846Y | 公開（公告）日： | 2010-01-27 |
| 發明（設計）人： | 李樹強;徐現剛;張新;馬光宇;吳小強;盧振 | 申請（專利權）人： | 山東華光光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 外延 生長 鋁鎵銦磷 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅襯底上外延生長的鋁鎵銦磷發光二極管，其特征是：該發光二極管的外延結構采用硅襯底，在硅襯底上由下至上依次包括砷化鎵低溫緩沖層、砷化鎵高溫緩沖層、DBR反射層、鋁鎵銦磷下限制層、多量子阱發光區、鋁鎵銦磷上限制層、電流擴展層。
2.根據權利要求1所述的硅襯底上外延生長的鋁鎵銦磷發光二極管，其特征是：所述砷化鎵高溫緩沖層和DBR反射層之間設有砷化鎵歐姆接觸層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東華光光電子有限公司，未經山東華光光電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920021649.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種紙機切邊水針的清洗裝置
- 下一篇：長體振動分目篩
