[實用新型]半導體吸收式光纖溫度檢測裝置

有效

• 申請號: 200920019688.2
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN201373781Y
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 王哲;周忠;魏玉賓;劉統玉
• 申請（專利權）人: 山東微感光電子有限公司
• 主分類號: G01K11/32
• 分類號: G01K11/32
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司
• 代理人: 曲志波

1、一種半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其包括參考光源、參考光探測器、參考光耦合器、測量光源、測量光探測器、測量光耦合器、雙光源耦合器、傳感耦合器、波分復用器、參考探測器、檢測探測器、感溫探頭、光源控制和信號處理單元及顯示及輸出單元，其特征是參考光源與參考光耦合器輸入端相連接；參考光耦合器的一個輸出端與雙光源耦合器的一輸入端相連接，參考光耦合器的另一個輸出端與參考光探測器輸入端相連接；

測量光源與測量光耦合器輸入端相連接；測量光耦合器的一個輸出端與雙光源耦合器的另一輸入端相連接，測量光耦合器的另一個輸出端與測量光探測器輸入端相連接；

雙光源耦合器輸出端與傳感耦合器的一端相連接；傳感耦合器的另一端與感溫探頭相連接；傳感耦合器的第三端與波分復用器輸入端相連接；

波分復用器的一輸出端與參考探測器輸入端相連接，波分復用器的另一輸出端與檢測探測器輸入端相連接；

參考光源、參考光探測器、測量光源、測量光探測器、檢測探測器、參考探測器通過電信號直接與光源控制及信號處理單元相連接；光源控制及信號處理單元與顯示及輸出單元相連接。

2、根據權利要求1所述的半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其特征是所述參考光源、測量光源、參考光探測器、檢測光探測器、參考光耦合器、測量光耦合器、雙光源耦合器由一個雙激光器組件替代。

3、根據權利要求1所述的半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其特征是所述的光源控制及信號處理單元分別控制參考光源和測量光源分時發出兩個不同波長的光，連續控制光的強弱。

4、根據權利要求1或2或3所述的半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其特征是所述的波分復用器用一分二光耦合器件替代。

5、根據權利要求1或2或3所述的半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其特征是所述的參考探測器和檢測探測器用一個光探測器替代，同樣參考光探測器和測量光探測器用一個寬波長光探測器替代。

6、根據權利要求1或2或3所述的半導體吸收式光纖溫度檢測裝置，其特征是所述感溫探頭是光反射式半導體砷化鎵感溫探頭，具體包括保護套管，套管內的與耦合器相連接的光纖，在所述光纖尾端設置有一面鍍增透膜，另一面鍍全反射膜的半導體砷化鎵薄晶片。