[實用新型]一種全自動大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統無效
| 申請號: | 200920012728.0 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN201386135Y | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 趙科新;趙崇凌;李士軍;洪克超;段鑫陽;張振厚;張冬;張健;徐寶利;鐘福強;奚建平;高振國;崔秀偉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 | 代理人: | 許宗富;周秀梅 |
| 地址: | 110168遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 全自動 大型 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 制備 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及光伏電池片薄膜制備裝置,具體地說是一種多腔室在真空條件下連續工作的全自動大型平板PECVD(等離子體增強化學氣相沉積,Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)氮化硅覆膜制備系統。
背景技術
為了提高光伏晶硅電池光電轉換效率,需要在光伏晶硅電池表面制備減反射薄膜;而制備減反射薄膜主要采用等離子體增強化學氣相沉積方法(即PECVD方法),同時采用PECVD方法還可起到鈍化作用,降低光伏電池組件的衰減速度。PECVD方法是制備薄膜材料的幾種方法中技術最為成熟、操作較為簡單的一種,連續自動化生產,可以實現無人化生產,同時在制備超大面積薄膜均勻性方面表現更為突出。現階段在光伏領域使用的制備減反射薄膜的設備有兩種,一種為管式結構的PECVD設備,這種結構的設備單次生產時間過長,導致產量很低,沒有連續生產的能力;另一種為進口多腔室平板式PECVD設備,可以實現自動化生產,但設備龐大,價格成本很高。
實用新型內容
為了解決現有制備減反射薄膜設備存在的上述問題,本實用新型的目的在于提供一種多腔室在真空條件下工作、組合式的全自動大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統。
本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的:
本實用新型包括自動傳輸裝載臺、預熱室、PECVD室、冷卻室及自動傳輸卸載臺,其中預熱室、PECVD室及冷卻室依次安裝在臺架上,自動傳輸裝載臺與預熱室相連,自動傳輸卸載臺與冷卻室相連;預熱室、PECVD室及冷卻室分別通過氣體管路連接有真空抽氣系統。
其中:所述預熱室可為多個,串聯連接于自動傳輸裝載臺與PECVD室之間;所述冷卻室可為多個,串聯連接于PECVD室與自動傳輸卸載臺之間;PECVD室可為多個,串聯連接于預熱室與冷卻室之間;所述預熱室、PECVD室及冷卻室分別通過螺栓安裝在各自的臺架上,各臺架之間通過螺栓連接,自動傳輸裝載臺與承載預熱室的臺架通過螺栓相連接,自動傳輸卸載臺與承載冷卻室的臺架通過螺栓相連接;在自動傳輸裝載臺及自動傳輸卸載臺上加設有機械手。
本實用新型的優點與積極效果為:
本實用新型采用組合式多腔室在真空條件下工作的全自動大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統,在工作的情況下,同樣能夠達到管式PECVD和進口平板式PECVD的技術指標,具體如下:
1.可無人全自動或手動實現光伏電池片氮化硅(SiNx)薄膜制備,全程用工業微機實現自動控制。
2.更高的性能價格比。
3.產能30MW/年(1700片/每小時),產能可提高一倍。
4.膜厚均勻性片內(125mm×125mm)≤±3%,片間≤±4%,批間≤±5%。
5.折射率范圍:2.0~2.1批次的一致性:±5%。
6.具有完善的報警功能及安全互鎖裝置。
7.真空干式清理。
8.成膜溫度300~400℃連續可調。
9.可根據用戶量身定制多腔體多工位組合適用于各種光伏晶硅片薄膜制備。
10.操作簡單,連續自動化,可以實現無人化生產。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖;
其中:1為自動傳輸裝載臺,2為預熱室,3為PECVD室,4為冷卻室,5為自動傳輸卸載臺,6為真空抽氣系統,7為氣體管路,8為承載板。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型作進一步詳述。
如圖1所示,本實用新型包括自動傳輸裝載臺1、預熱室2、PECVD室3、冷卻室4及自動傳輸卸載臺5,其中預熱室2、PECVD室3及冷卻室4依次安裝在臺架上,預熱室2、PECVD室3及冷卻室4分別與各自的臺架通過螺栓連接,各臺架之間通過螺栓連接,自動傳輸裝載臺1與承載預熱室2的臺架通過螺栓相連接,自動傳輸卸載臺5與承載冷卻室4的臺架通過螺栓相連接。預熱室2、PECVD室3及冷卻室4分別通過氣體管路7連接有真空抽氣系統6。為了達到生長多層薄膜的目的,本實用新型中的預熱室2、PECVD室3及冷卻室4可分別擴展為多個,串聯連接,安裝時需要保證相同的腔室串聯連接后再與其他腔室串聯連接;即,預熱室2若為多個,多個預熱室2串聯連接后再串聯連接于自動傳輸裝載臺1與PECVD室3之間;PECVD室3若為多個,多個PECVD室3串聯連接后再串聯連接于預熱室2與冷卻室4之間;多個冷卻室4若為多個,多個冷卻室4串聯連接于PECVD室3與自動傳輸卸載臺5之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





