[實用新型]發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920001096.8 | 申請日: | 2009-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN201332107Y | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳銘興;蔡章富 | 申請(專利權(quán))人: | 吳銘興;蔡章富 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 周春發(fā);艾 晶 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣中壢*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu) 改良 | ||
1、一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,其至少包含有:
一透明基板,該透明基板上設(shè)有一N型半導(dǎo)體層,而該透明基板底側(cè)設(shè)有一光學(xué)膜;
光學(xué)膜,設(shè)于該透明基板底側(cè),該光學(xué)膜為金屬氧化物光學(xué)膜、金屬氟化物光學(xué)膜或金屬氮化物光學(xué)膜或其組合;
一N型半導(dǎo)體層,設(shè)于該透明基板上;
一發(fā)光層,設(shè)于該N型半導(dǎo)體層上;
一P型半導(dǎo)體層,設(shè)于該發(fā)光層上。
2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該透明基板為藍寶石透明基板。
3、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該金屬氧化物光學(xué)膜為氧化鈦光學(xué)膜、氧化鋯光學(xué)膜、氧化硅光學(xué)膜或氧化鉭光學(xué)膜。
4、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該金屬氟化物光學(xué)膜為氟化鎂光學(xué)膜。
5、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該金屬氮化物光學(xué)膜為氮化硅光學(xué)膜。
6、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層表面設(shè)有電極。
7、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該光學(xué)膜的厚度調(diào)整,可得到不同波長范圍的高反射區(qū)域。
8、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該發(fā)光二極管進一步設(shè)有散熱裝置,該散熱裝置設(shè)于該光學(xué)膜底側(cè)。
9、如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該光學(xué)膜與散熱裝置間設(shè)有黏合層。
10、如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)改良,其特征在于,該黏合層為導(dǎo)熱膠。
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