[發明專利]一種化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構

無效

• 申請號: 200910312760.5
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN102117802A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 阮文彪;陳嵐;李志剛;王強;楊飛;周雋雄;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L23/522;H01L23/544
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構，其特征在于：所述版圖中包含多個長度和寬度大于100微米的矩形結構模塊；所述模塊分為普通模塊和測試相干間距影響的模塊，模塊與模塊之間的距離為模塊間距，所述模塊間距為0-300微米；所述模塊由金屬線和介質層構成，所述模塊中金屬線面積占所述模塊總面積的比例為金屬密度，所述模塊為不同金屬線寬的孤立線結構模塊、不同金屬密度和金屬線寬的模塊、不同金屬線寬與密度組成的復合結構模塊、復合結構模塊中不同模塊間距的結構模塊、或不規則線與介質層構成的真實設計模塊。

2.如權利要求1所述的化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構，其特征在于：所述模塊的金屬密度分布從10％到90％，其中金屬密度小于或等于50％的模塊數量占模塊總數的70％及以上。

3.如權利要求2所述的化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構，其特征在于：所述模塊的金屬線寬從由工藝設計規則決定的互連線最小特征尺寸到50微米，其中金屬線寬小于或等于0.5微米的細線模塊數量占模塊總數的40％及以上，金屬線寬為1微米到5微米的中等線寬模塊數量約占模塊總數的30％，金屬線寬大于5微米的寬線模塊數量小于模塊總數的20％。

4.如權利要求3所述的化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構，其特征在于：所述90％以上的普通模塊間距大于100微米，所述測試相干間距影響的模塊間距為0-300微米。