[發明專利]發光二極管封裝結構及其封裝方法

無效

• 申請號: 200910312230.0
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN102110759A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 余泰成;李漢隆
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/00;H01L23/48;H01L23/12;H01L21/50;H01L21/48;H01L21/60
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1.一種發光二極管封裝結構，包括基板、至少一個發光二極管芯片，每一個發光二極管包括兩個電極，其特征在于：該封裝結構還包括封裝膠層及設置于該基板上的碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜上形成有相互間隔的至少兩個導電區域，該至少一個發光二極管芯片的兩個電極分別對應電連接于該至少兩個導電區域，該封裝膠層覆蓋該碳納米管薄膜及該發光二極管芯片。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該碳納米管薄膜上開設有至少一個通槽，以形成該至少兩個導電區域。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該封裝膠層含有熒光粉。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該基板為陶瓷基板。

5.一種發光二極管的封裝方法，其包括如下步驟：

提供一個基板和至少兩個發光二極管芯片，每一發光二極管芯片包括兩個電極；

在該基板上設置一層碳納米管薄膜；

在該碳納米管薄膜上形成至少四個相互間隔的導電區域；

將該至少兩個發光二極管芯片的兩個電極對應電連接于該多個導電區域；

在該碳納米管薄膜及該至少兩個發光二極管芯片上涂覆一封裝膠層。

6.如權利要求5所述的發光二極管的封裝方法，其特征在于：通過激光打孔或選擇性加熱的方法，在該碳納米管薄膜形成該至少四個導電區域。

7.如權利要求5所述的發光二極管的封裝方法，其特征在于：該封裝膠層含有熒光粉。

8.如權利要求5所述的發光二極管的封裝方法，其特征在于：該封裝方法還包括切割涂覆有該封裝膠層的基板，以形成多個單一發光二極管的步驟。

9.一種發光二極管的封裝方法，其包括如下步驟：

提供一種基板和一個發光二極管芯片，該發光二極管芯片包括兩個電極；

在該基板上設置一層碳納米管薄膜；

在該碳納米管薄膜上形成有兩個相互間隔的導電區域；

將該發光二極管芯片的兩個電極對應電連接于該兩個導電區域；

在該碳納米管薄膜及發光二極管芯片上涂覆一層封裝膠層。

10.如權利要求9所述的發光二極管的封裝方法，其特征在于：通過激光打孔或選擇性加熱的方法，在該碳納米管薄膜形成該兩個導電區域。