[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 200910311166.4
• 申請日: 2009-12-10
• 公開（公告）號: CN102097420A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括一導熱基板及設于該導熱基板上的至少一紅光發光二極管芯片、至少一綠光發光二極管芯片與至少一藍光發光二極管芯片，其特征在于：該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片均包括一p型氮化鎵層、一n型氮化鎵層及位于p型氮化鎵層與n型氮化鎵層之間的一發光層，該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片中的每一發光二極管芯片的p型氮化鎵層、發光層及n型氮化鎵層均以藍寶石為基底依次生長形成，該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片的p型氮化鎵層與導熱基板相粘合，該綠光發光二極管芯片與藍光發光二極管芯片的發光層中參雜有銦使該綠光發光二極管芯片與藍光發光二極管芯片分別發綠光與藍光，該紅光發光二極管芯片的發光層中參雜有銪使該紅光發光二極管芯片發紅光。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片中的每一發光二極管芯片的p型氮化鎵層、發光層及n型氮化鎵層上設置有一透明導電層，該透明導電層上設置有一電極。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該導熱基板由銅、鋁、鎳、碳納米管、硅或鉆石制成。

4.一種發光二極管的制造方法，包括如下步驟：

制得至少一紅光發光二極管芯片，包括以藍寶石為一基底，在該藍寶石基底上依次生長一n型氮化鎵層、一發光層及一p型氮化鎵層，并通過向該發光層中參雜適量的銪來使該紅光發光二極管芯片發紅光；

制得至少一綠光發光二極管芯片，包括以藍寶石為一基底，在該藍寶石基底上依次生長一n型氮化鎵層、一發光層及一p型氮化鎵層，并通過向該發光層中參雜適量的銦來使該綠光發光二極管芯片發綠光；

制得至少一藍光發光二極管芯片，包括以藍寶石為一基底，在該藍寶石基底上依次生長一n型氮化鎵層、一發光層及一p型氮化鎵層，并通過向該發光層中參雜適量的銦來使該藍光發光二極管芯片發藍光；

提供一導熱基板，將該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片倒置后使各發光二極管芯片的p型氮化鎵層黏合于該導熱基板上；及

剝離該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片的藍寶石基底。

5.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：還包括在該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片的n型氮化鎵層上設置透明導電層以及在該透明導電層上設置電極。

6.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：該紅光發光二極管芯片、綠光發光二極管芯片及藍光發光二極管芯片以同一藍寶石為基底生長形成。

7.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：該導熱基板由銅、鋁、鎳、碳納米管、硅或鉆石制成。