[發明專利]與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件

無效

• 申請號: 200910311123.6
• 申請日: 2009-12-09
• 公開（公告）號: CN101728377A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 錢正洪
• 申請（專利權）人: 錢正洪
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所 33206
• 代理人: 戴曉翔

1.與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于包括由線圈及與線圈隔離并接受磁信號的高靈敏度磁敏傳感器和放大比較電路三部分，所述的線圈由相串聯的兩層金屬平面線圈(1)組成。

2.根據權利要求1所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的磁敏傳感器是GMR磁敏電阻或由其組合而成的電橋。

3.根據權利要求1所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的磁敏傳感器是MTJ磁敏電阻或由其組合而成的電橋。

4.根據權利要求1或2或3所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的線圈上設置有軟磁屏蔽層(2)。

5.根據權利要求2所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的GMR磁敏電阻是由GMR自旋閥材料制成，GMR自旋閥材料是多層膜結構：含自由鐵磁層(6)、非磁性導電層Cu層(5)、被釘扎層(4)和釘扎層(3)四層。

6.根據權利要求3所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的MTJ磁敏電阻是由MTJ材料制成，MTJ材料：含自由鐵磁層、隧道阻擋層、被釘扎層和釘扎層四層。

7.根據權利要求1或2或3或5或6所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的磁敏傳感器為由線性的GMR磁敏電阻或MTJ磁敏電阻組成的惠斯通電橋。

8.根據權利要求7所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的電橋上方設有絕緣層。

9.根據權利要求5或6所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的線圈在單向電流模式或雙向電流模式下工作。

10.根據權利要求8所述的與光電耦合器兼容的高速磁電隔離信號耦合器件，其特征在于所述的惠斯通電橋在沒有電流輸入時可預先設置一個初始輸出偏置值以代表“0”態(初始態)。