[發明專利]還原多晶硅的方法有效
| 申請號： | 200910310487.2 | 申請日： | 2009-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101875493A | 公開（公告）日： | 2010-11-03 |
| 發明（設計）人： | 唐前正;張新;趙新征;盧濤;彭卡;李品賢 | 申請（專利權）人： | 樂山樂電天威硅業科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都虹橋專利事務所 51124 | 代理人： | 武森濤 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 還原 多晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1.還原多晶硅的方法，其特征在于：在壓力為0.3～0.6Mpa的還原爐內通入摩爾比為0.15～0.5∶1的三氯氫硅和氫氣進行還原。
2.根據權利要求1所述的還原多晶硅的方法，其特征在于：所述的三氯氫硅和氫氣在通入還原爐前先混合均勻。
3.根據權利要求2所述的還原多晶硅的方法，其特征在于：所述氫氣和三氯氫硅在三氯氫硅氣化裝置中混合均勻，其中，三氯氫硅氣化裝置中的壓力為0.5～1.3Mpa，三氯氫硅氣化裝置中的壓力大于還原爐的壓力。
4.根據權利要求3所述的還原多晶硅的方法，其特征在于：氫氣和三氯氫硅混合時，氫氣通入三氯氫硅氣化裝置的速度為40～1500Nm3/h，三氯氫硅通入三氯氫硅氣化裝置的速度為100～3000kg/h。
5.根據權利要求1～4任一項所述的還原多晶硅的方法，其特征在于：三氯氫硅和氫氣進行還原時的溫度為1000～1200℃。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂山樂電天威硅業科技有限責任公司，未經樂山樂電天威硅業科技有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910310487.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電絮凝-電氣浮凈化洗浴及洗衣廢水的分級回用裝置
- 下一篇：騎士車前燈安裝支架
