[發(fā)明專利]D類音頻放大器及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910308850.7
• 申請日: 2009-10-27
• 公開（公告）號: CN101958691A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杰夫·科托夫斯基;殷奇章
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H03F3/217
• 分類號: H03F3/217;H03K5/00
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌;徐宏

1.一種D類音頻放大器，包括：

調(diào)制器電路，接收脈沖寬度調(diào)制PWM輸入信號和PWM輸出信號的反饋信號，提供控制信號；

驅(qū)動控制電路，電氣耦接到所述調(diào)制器電路，產(chǎn)生驅(qū)動控制信號，驅(qū)動控制信號基于所述控制信號，在每個周期通過選擇第一脈沖信號或者第二脈沖信號，補償PWM輸出信號；

開關(guān)電路，電氣耦接到所述驅(qū)動控制電路，響應于所述驅(qū)動控制信號切換開關(guān)的開通和關(guān)斷，產(chǎn)生所述的PWM輸出信號；和

反饋電路，電氣耦接到所述開關(guān)電路和所述調(diào)制器電路，接收所述PWM輸出信號，提供所述PWM輸出信號的反饋信號。

2.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，其中所述調(diào)制器電路通過量化所述PWM輸入信號和所述PWM輸出信號的反饋信號之間的平均差值，提供所述控制信號。

3.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，還包括：

輸入端，電氣耦接到所述調(diào)制器電路，接收所述PWM輸入信號；

輸出端，電氣耦接到所述開關(guān)電路，輸出模擬音頻信號。

4.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，還包括：

輸出濾波器，電氣耦接到所述開關(guān)電路，響應于所述PWM輸出信號產(chǎn)生所述模擬音頻信號。

5.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，還包括：

第一變換器，電氣耦接到所述調(diào)制器電路，將所述PWM輸入信號變換成PWM輸入電流信號；

第二變換器，電氣耦接到所述開關(guān)電路，將所述PWM輸出信號變換成PWM輸出電流信號。

6.如權(quán)力要求4所述的D類音頻放大器，其中所述第一變換器還包括第一電阻，所述第二變換器還包括第二電阻。

7.如權(quán)力要求3所述的D類音頻放大器，還包括：

電位偏移電路，電氣耦接在所述輸入端和所述調(diào)制器電路之間。

8.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，其中所述驅(qū)動控制電路還包括：

延遲電路，接收所述PWM輸入信號；

第一脈沖寬度調(diào)制電路，電氣耦接到所述延遲電路，產(chǎn)生脈沖寬度比所述PWM輸出信號之脈沖寬度更長的第一脈沖信號；

第二脈沖寬度調(diào)制電路，電氣耦接到所述延遲電路，產(chǎn)生脈沖寬度比所述PWM輸出信號之脈沖寬度更短的第二脈沖信號；

多路選擇器，電氣耦接到所述第一脈沖寬度調(diào)制電路和所述第二脈沖寬度調(diào)制電路，選擇所述第一脈沖信號或者所述第二脈沖信號；

選擇器電路，電氣耦接到所述多路選擇器和所述調(diào)制器電路，基于所述控制信號，控制所述多路選擇器電路選擇或者所述第一脈沖信號或者所述第二脈沖信號。

9.如權(quán)力要求8所述的D類音頻放大器，其中所述選擇器電路還包括：

反相器，電氣耦接到所述延遲電路；和

觸發(fā)器電路，電氣耦接到所述反相器、多路選擇器和調(diào)制器電路。

10.如權(quán)利要求9所述的D類音頻放大器，所述反相器的輸入端耦接延遲電路，其輸出端耦接所述觸發(fā)器電路的時鐘端；所述觸發(fā)器電路的D輸入端耦接調(diào)制器電路的輸出端，Q輸出端耦接所述多路選擇器。

11.如權(quán)力要求8所述的D類音頻放大器，其中所述第一脈沖寬度調(diào)制電路還包括或非電路。

12.如權(quán)力要求8所述的D類音頻放大器，其中所述第二脈沖寬度調(diào)制電路還包括與非電路。

13.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，其中所述開關(guān)電路還包括以半橋拓撲電氣連接在一起的多個MOSFET晶體管。

14.如權(quán)力要求13所述的D類音頻放大器，其中所述多個MOSFET晶體管還包括高端MOSFET器件和低端MOSFET器件，所述高端MOSFET器件和低端MOSFET器件串聯(lián)耦接，所述高端MOSFET器件的門極電氣耦接到所述驅(qū)動控制電路，其漏極電氣耦接到第一供電電壓，其源極電氣耦接到所述低端MOSFET器件的漏極，所述低端MOSFET器件的門極電氣耦接到所述驅(qū)動控制電路，其源極電氣耦接到第二供電電壓。

15.如權(quán)力要求1所述的D類音頻放大器，其中所述開關(guān)電路還包括多個以全橋拓撲電氣連接在一起的MOSFET晶體管。