[發明專利]曲折多匝結構巨磁阻抗效應傳感器

無效

• 申請號: 200910307531.4
• 申請日: 2009-09-23
• 公開（公告）號: CN101644748A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 周志敏;周勇;陳磊;雷沖;丁文
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09;H01L43/08
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種曲折多匝結構巨磁阻抗效應傳感器，包括：帶SiO₂層的硅襯底、軟磁多層膜和引腳，其中：軟磁多層膜為方波形的曲折多匝結構，并位于帶SiO₂層的硅襯底上，引腳的一端與軟磁多層膜固定連接，另一端固定于帶有SiO₂層的硅襯底上，其特征在于，軟磁多層膜的匝數為10匝，匝間距離為60μm，峰-峰值為5mm，引腳的個數為21個且分兩組各10個和11個并且分別位于軟磁多層膜的上、下兩端并與銅層固定連接；

所述的軟磁多層膜包括：銅層和軟磁薄膜層，其中：銅層位于軟磁薄膜層內部，軟磁薄膜層的寬度為200μm，銅層的寬度為120μm，所述銅層上側的軟磁薄膜與銅層下側的軟磁薄膜厚度相同，所述銅層的厚度為1μm-3μm；

所述軟磁薄膜層為Ni-Fe混合材料制成，其中Ni元素所占的組分比率為82％。