[發(fā)明專利]放電電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910307228.4
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102025272A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪隆裕;孔圣翔;陳世權(quán);賴志銘
• 申請（專利權(quán)）人: 富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種放電電路，其與一個(gè)功率因素校正電路的輸出端電連接，且該功率因素校正電路的輸出端定義為第一節(jié)點(diǎn)，該功率因素校正電路中具有一個(gè)濾波電容，該放電電路包括：

一個(gè)第一二極管，其正極外接一個(gè)電壓；

一個(gè)光耦合器，其具有一個(gè)初級面與一個(gè)次級面，該初級面的輸入端與該第一二極管的負(fù)極電連接，該次級面的輸入端與外接電壓電連接；

一個(gè)第二二極管，其正極與該初級面的輸出端電連接；

一個(gè)第一電容，其正極與該第二二極管的負(fù)極電連接，其負(fù)極接地；

一個(gè)放電單元，其包括一個(gè)MOSFET以及一個(gè)放電電阻，該MOSFET的柵極與該第一電容的正極電連接，該MOSFET的源極接地，該MOSFET的漏極通過該放電電阻與第一節(jié)點(diǎn)電連接；

一個(gè)NPN型三極管，其基極與該次級面的輸出端電連接，該NPN型三極管的發(fā)射極接地，該NPN型三極管的集電極與該第一電容的正極電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的放電電路，其特征在于，該放電電路進(jìn)一步包括穩(wěn)壓二極管，其設(shè)置在該第一二極管與該光耦合器的初級面的輸入端之間，且該穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與該第一二極管的負(fù)極電連接。

3.如權(quán)利要求1所述的放電電路，其特征在于，該放電電路進(jìn)一步包括一個(gè)分壓電路，其設(shè)置在該光耦合器的初級面的輸出端與第二二極管之間。

4.如權(quán)利要求3所述的放電電路，其特征在于，該分壓電路包括一個(gè)第一電阻、一個(gè)第二電阻以及一個(gè)第三電阻，該第一電阻與該第二電阻串聯(lián)設(shè)置在該光耦合器的初級面的輸出端與第二二極管之間，該第一電阻與該第二電阻相接處定義為第二節(jié)點(diǎn)，該第三電阻的一端電連接該第二節(jié)點(diǎn)，另一端接地。

5.如權(quán)利要求4所述的放電電路，其特征在于，該分壓電路進(jìn)一步包括一個(gè)第一電容，該第一電容與該第三電阻并聯(lián)。

6.如權(quán)利要求1所述的放電電路，其特征在于，該NPN型三極管的基極與該光耦合器的次級面的輸出端之間設(shè)置有一個(gè)第四電阻。

7.如權(quán)利要求1所述的放電電路，其特征在于，該光耦合器的次級面的輸出端通過一個(gè)第五電阻接地。

8.如權(quán)利要求1所述的放電電路，其特征在于，該NPN型三極管集電極與該第一電容的正極之間設(shè)置有一個(gè)第六電阻。

9.如權(quán)利要求8所述的放電電路，其特征在于，該第六電阻與該NPN型三極管的集電極的相連接處定義為第三節(jié)點(diǎn)，該放電電路進(jìn)一步包括一個(gè)第七電阻，該第七電阻設(shè)置于該第三節(jié)點(diǎn)與該MOSFET的柵極之間。