[發(fā)明專利]蒸鍍裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910305619.2
• 申請日: 2009-08-14
• 公開（公告）號: CN101994087A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴紹凱
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種蒸鍍裝置。

背景技術(shù)

蒸鍍是一種物理氣相沉積技術(shù)，即以物理的方式進(jìn)行薄膜沉積。具體地，其通過離子束或電子束對膜料進(jìn)行加熱，使膜料變成氣態(tài)，而沉積在待鍍基材表面以形成一蒸鍍膜層。蒸鍍技術(shù)因成膜過程簡單，工藝易控制而得到廣泛應(yīng)用，例如光學(xué)元件表面反射膜層、裝飾件表面膜層等。

蒸鍍過程需要在一蒸鍍裝置中進(jìn)行，所述蒸鍍裝置通常包括一蒸鍍腔室、一用于承載待鍍膜基材的傳統(tǒng)的傘架、一位于傘架正下方的用于承載膜料的坩堝及一釋放出氧化性氣體的離子源。傳統(tǒng)的蒸鍍方法是將待鍍膜基材放置于傘架上，然后使氣態(tài)或離子態(tài)的膜料與離子源釋放出的氧化性氣體反應(yīng)后沉積于待鍍膜基材上表面。然而，一般蒸鍍裝置內(nèi)釋放氧化性氣體的離子源的位置固定，當(dāng)采用處于不同位置的不同膜料進(jìn)行鍍膜時(shí)，很可能由于離子源與膜料的位置關(guān)系，使得氣態(tài)的膜料還未完全氧化就沉積于待鍍膜基材上，從而影響鍍膜質(zhì)量及效果。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種可有效提高鍍膜質(zhì)量的蒸鍍裝置。

一種蒸鍍裝置，其用于對待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜；所述鍍膜裝置包括一基座、多個(gè)加熱源、一支撐桿、一離子源、一支架及至少一承載座；所述基座包括一頂面及一底面，該基座的頂面中心位置處開設(shè)有一通孔，所述頂面上還開設(shè)有多個(gè)用于承載膜料的凹槽，所述加熱源固設(shè)于凹槽底部；所述支撐桿套設(shè)在所述通孔內(nèi)，且支撐桿突出于頂面的一端的側(cè)壁上對應(yīng)所述凹槽開設(shè)有通風(fēng)口，所述支撐桿內(nèi)設(shè)置至少一與所述通風(fēng)口相連通的風(fēng)道；所述離子源與風(fēng)道相連通；所述支架垂直固設(shè)于支撐桿突出于頂面的一端的端面上；所述承載座固設(shè)于支架上，用于承載待鍍膜基材。

本發(fā)明提供的鍍膜裝置通過在分別使用位于不同凹槽內(nèi)的膜料進(jìn)行蒸鍍過程中，根據(jù)承載膜料的凹槽的位置向?qū)?yīng)通風(fēng)口通入氧化性氣體，使得氣態(tài)的膜料能被從離子源中釋放的氧化性氣體完全氧化，從而有效提高鍍膜質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的鍍膜裝置的分解示意圖。

圖2是圖1中的鍍膜裝置的支撐桿的截面示意圖。

圖3是圖1中的鍍膜裝置的支架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是圖1中的鍍膜裝置的組合示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種蒸鍍裝置100，其用于對待鍍膜基材200進(jìn)行鍍膜；所述鍍膜裝置100包括一基座10、多個(gè)加熱源20、一支撐桿30、一離子源40、一馬達(dá)50、一支架60、至少一承載座70及一控制模塊80。

所述基座10為一圓柱體，其包括一頂面11及一底面12。所述基座10的頂面11中心位置處開設(shè)有一貫穿至底面12的通孔13。所述頂面11上環(huán)繞所述通孔13開設(shè)有多個(gè)用于承載膜料的凹槽111，所述多個(gè)凹槽111以通孔13為中心均勻地分布在頂面11上。本實(shí)施方式中，所述凹槽111為四個(gè)，所述每兩個(gè)相鄰的凹槽111之間間隔設(shè)置有隔熱材料。

所述加熱源20為電阻絲，其固設(shè)于凹槽111的底部。所述加熱源20用于對放置在凹槽111內(nèi)的膜料進(jìn)行加熱，使所述固態(tài)膜料受熱蒸發(fā)后變?yōu)闅鈶B(tài)膜料。在本實(shí)施方式中，所述加熱源20為四個(gè)，且每個(gè)加熱源20對應(yīng)設(shè)置于凹槽111的下方。

請一并參考圖2，所述支撐桿30為一中空桿，其包括一外筒31及一間隔片32。所述外筒31包括一封閉端311及一連通端312。所述支撐桿30套設(shè)于基座10的通孔13內(nèi)，且支撐桿30與通孔13為過盈配合，即所述支撐桿30與所述通孔13的內(nèi)壁緊密貼合以防止所述基座10在所述支撐桿30上滑動(dòng)。所述封閉端311從基座10的頂面11伸出，所述連通端312從基座10底面伸出，且支撐桿30突出于頂面11的一端的側(cè)壁上分別對應(yīng)每個(gè)凹槽111開設(shè)有通風(fēng)口313。本實(shí)施方式中，所述間隔片32呈十字狀，該間隔片32設(shè)置在外筒31內(nèi)，并將所述外筒31分隔為四個(gè)相互獨(dú)立的風(fēng)道314，每個(gè)風(fēng)道314分別與一個(gè)通風(fēng)口313相連通。可以理解，所述支撐桿30也可以不包括間隔片32，整個(gè)外筒31形成一獨(dú)立的風(fēng)道314，且該風(fēng)道314與每個(gè)通風(fēng)口313都連通。

所述離子源40位于基座10的下方，且與所述支撐桿30的連通端312內(nèi)的風(fēng)道314連通。所述離子源40還包括四個(gè)電控開關(guān)(圖未示)，所述電控開關(guān)位于風(fēng)道314內(nèi)，當(dāng)所述電控開關(guān)開啟時(shí)，實(shí)現(xiàn)對風(fēng)道314的導(dǎo)通；當(dāng)所述電控開關(guān)關(guān)閉時(shí)，實(shí)現(xiàn)對風(fēng)道314的封閉。所述離子源40釋放出氧化性的氣態(tài)離子，例如負(fù)二價(jià)態(tài)的氧氣離子。可以理解，所述電控開關(guān)也可設(shè)置在通風(fēng)口313處，用于控制每個(gè)通風(fēng)口313的開啟和封閉。