[發明專利]CVD金剛石薄膜探測器制作工藝

有效

• 申請號: 200910305235.0
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101621091A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 歐陽曉平;劉林月;王蘭;雷嵐;潘洪波;宋獻才;張莉
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/24;C23C14/16
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司
• 代理人: 王少文

1.一種CVD金剛石薄膜探測器制作工藝，其特征在于：包括以下步驟：

1]配件制備及清洗：

加工金屬殼體、螺絲、聚四氟乙烯配件，取CVD金剛石薄膜，分別清洗，干燥備用，

所述聚四氟乙烯配件包括聚四氟乙烯壓圈（3）、聚四氟乙烯底座（4）和聚四氟乙烯環形套（5）；

2]預鍍金層：

對CVD金剛石薄膜兩面與金屬殼體接觸的部位分別蒸鍍金層；

3]探測器封裝：

3.1】將金屬殼體（2）與聚四氟乙烯底座（4）配合起來；

3.2】在金屬殼體（2）、聚四氟乙烯底座（4）與CVD金剛石薄膜（1）所形成的縫隙處填充絕緣膠（7）；

3.3】將CVD金剛石薄膜放在填好膠的金屬殼體與聚四氟乙烯底座所組成的配合體上，使得金屬殼體接觸到CVD金剛石薄膜；

3.4】將與CVD金剛石薄膜（1）另一面接觸的金屬殼體（2）與聚四氟乙烯壓圈（3）配合，在接觸縫隙處填充絕緣膠（7）后將其慢慢放置在CVD金剛石薄膜（1）的另一面上；

3.5】用螺絲（6）固定金屬殼體和聚四氟乙烯；

3.6】在探測器側面套上聚四氟乙烯環形套（5）；

4]探測器兩面整體鍍金：

將封裝好的CVD金剛石薄膜探測器兩面整體蒸鍍金層(8)并干燥，所述的探測器兩面是指CVD金剛石薄膜兩面預鍍金層所在的探測器兩面。

2.根據權利要求1所述的CVD金剛石薄膜探測器制作工藝，其特征在于：其還包括探測器電接觸老化步驟：

整體蒸鍍金層并干燥后的CVD金剛石薄膜探測器在100～1000V偏壓范圍內，每隔50～100V，加電壓保持1～2小時。

3.根據權利要求1或2所述的CVD金剛石薄膜探測器制作工藝，其特征在于：所述配件制備及清洗還包括以下步驟：?

清洗金屬殼體和螺絲之前先電鍍金層。

4.根據權利要求3所述的CVD金剛石薄膜探測器制作工藝，其特征在于：所述對CVD金剛石薄膜兩面上可與金屬殼體接觸部位分別蒸鍍金層的具體步驟如下：

將CVD金剛石薄膜置于真空度為0.5～1×10^-3Pa、襯底溫度為160～240℃的真空蒸鍍裝置內，對清洗干凈的CVD金剛石薄膜兩面上可與金屬殼體接觸的環形部位分別蒸鍍金層，金層厚度為100～200nm。

5.根據權利要求3所述的CVD金剛石薄膜探測器制作工藝，其特征在于：

所述將封裝好的探測器兩面整體蒸鍍金層的具體步驟如下：

將封裝好的探測器再次置于真空度為0.5～1×10^-3Pa，溫度為160～240℃的真空蒸鍍裝置內，對探測器兩面整體蒸鍍金層，金層厚度10～50nm。?