[發明專利]低電壓CMOS帶隙基準電壓源無效
| 申請號: | 200910304881.5 | 申請日: | 2009-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN101630176A | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 范濤;袁國順 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所;北京中科微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/30 | 分類號: | G05F3/30 |
| 代理公司: | 北京市德權律師事務所 | 代理人: | 王建國 |
| 地址: | 100029北京市北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 cmos 基準 | ||
技術領域
本發明涉及電源及微電子技術領域,特別涉及一種低電源電壓下工作的CMOS帶隙基準電 壓源。
背景技術
一般來說,從芯片外部引入的供電電壓都存在一定的波動,而高精度的模擬電路對偏置 電壓的穩定性要求較高。因此,在模擬電路中一般會使用一個基準電壓源,它可以將電源電 壓轉化為一個具有良好電壓穩定性和溫度穩定性的電壓,為電路的其它部分提供良好的參考 電壓。
基準電壓源通常是指在電路中做電壓基準的精確、穩定的電壓源。隨著集成電路規模的 不斷增大,尤其是系統集成技術的發展,基準電壓源成為大規模、超大規模集成電路和幾乎 所有數字模擬系統中不可缺少的基本電路模塊。
基準電壓源以其輸出參考電壓的精確性和穩定性,被廣泛地應用于高精度模擬電路及數 模混合電路中,例如高精度比較器、高精度A/D和D/A轉換器、線性穩壓器,以及DC/DC變換 器。在A/D和D/A轉換器、數據采集系統以及各種測量設備中,都需要高精度、高穩定性的基 準電壓源,并且基準電壓源的精度和穩定性決定了整個系統的工作性能。基準電壓源主要有 基于正向VBE的電壓基準、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準、帶隙電壓基準等多種 實現方式,其中帶隙基準電壓源具有低溫度系數、高電壓抑制比、低基準電壓等優點,因而 得到了廣泛的應用。
一種傳統的CMOS帶隙基準電壓源的工作原理是:利用雙極性晶體管的基極-發射極電壓 VBE(具有負溫度系數)和它們的差值ΔVBE(具有正溫度系數)進行相互補償,從而達到電 路的溫度系數為零的目的。圖1示出了這種現有的CMOS帶隙基準電壓源的電路圖。在圖1中, 運算放大器OTA的作用是使電路處于深度負反饋狀態,從而讓運算放大器OTA兩輸入端電壓相 等。因此,在電路穩定輸出時:
I1R1+VBE1=VBE2????(1)
Vref=VBE3+I3R2????(2)
由于基準電壓輸出電路鏡像了基礎電路的電流,因此該基準電壓輸出電路的電流I3滿足 下列關系式:
I1=I3????(3)
通常,溫度對二極管的伏安特性有較大的影響,溫度升高,保持二極管電流不變時所需 要的正向偏壓減小,即:
VBE=VTln(I/Is)????(4)
其中,VT表示溫度的電壓當量,Is為三極管的反向飽和電流。
由公式(1)、(2)和(3)可以進一步地推導出:
I1=(VBE2-VBE1)/R1=VT/R1ln(I1/I2)????(5)
Vref=VBE3+R2/R1×VT×ln(I1/I2)???????(6)
其中,I1和I2的比值為三極管Q1和Q2的發射區面積的比值。可見,一方面,三極管Q1和 Q2的兩個PN結電壓差在電阻R1上產生了與絕對溫度成正比的電流IPTAT;另一方面,基準電壓 只與PN結的正向壓降、電阻的比值以及三極管Q1和Q2的發射極面積的比值有關,所以,在實 際的工藝制作中將會有很高的精度。VBE3具有負的溫度系數,在室溫時大約為-2mV/℃;VT 具有正的溫度系數,在室溫時大約為+0.085mV/℃。通過設定合適的工作點,可以使兩項之 和在某一溫度下達到零溫度系數,從而得到具有較好溫度特性的基準電壓。適當地選取R1和 R2,以及Q1和Q2發射區面積的比值即可得到具有零溫度系數的基準電壓。
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