[發明專利]用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯無效
| 申請號: | 200910304720.6 | 申請日: | 2009-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN101615578A | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發明(設計)人: | 汪明剛;劉杰;夏洋;李超波;陳瑤;趙麗莉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L21/265 | 分類號: | H01L21/265;C23C14/48 |
| 代理公司: | 北京市德權律師事務所 | 代理人: | 王建國 |
| 地址: | 100029北京市朝*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢測 等離子體 浸沒 注入 劑量 法拉第 | ||
1.一種用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,包括杯身、杯底和杯口,其特征在于,所述杯身相對于所述杯底的至少一個傾角小于90度;
所述傾角α=arctan(H/M),其中,H為所述法拉第杯杯身的高度,M為所述杯底最外側到距離其最近的所述杯口邊緣的水平距離。
2.根據權利要求1所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述杯身的高度與所述杯口的最大尺寸之比大于等于3且小于等于15。
3.根據權利要求2所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述杯身的高度與所述杯口的最大尺寸之比為10。
4.根據權利要求3所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述至少一個傾角大于等于60度。
5.根據權利要求4所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述法拉第杯的形狀為所述杯口的尺寸小于所述杯底的尺寸的任意規則的立體幾何形狀。
6.根據權利要求5所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述法拉第杯的形狀為圓錐形、棱錐形或至少包括兩級的寶塔形。
7.根據權利要求6所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述法拉第杯的杯底由石墨、鋁、或不銹鋼制成。
8.根據權利要求7所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述杯底的內表面是無紋理的平面結構或者具有梳狀溝槽結構。
9.根據權利要求8所述的用于檢測等離子體浸沒注入劑量的法拉第杯,其特征在于,所述梳狀溝槽結構包括同心圓狀梳狀溝槽結構、相互平行的直線狀有序排列的梳狀溝槽結構和無序排列狀的梳狀溝槽結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所,未經中國科學院微電子研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910304720.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種無電容式動態隨機存儲器
- 下一篇:具有滑板式鎖的座椅軌道記憶器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





