[發(fā)明專利]一種PDP功率集成模塊及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910304446.2
• 申請日: 2009-07-17
• 公開（公告）號: CN101593655A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發(fā)明（設計）人: 乜連波
• 申請（專利權(quán)）人: 威海新佳電子有限公司
• 主分類號: H01J17/49
• 分類號: H01J17/49
• 代理公司: 威海科星專利事務所
• 代理人: 于 濤

1.一種PDP功率集成模塊，包括陶瓷基板，陶瓷基板上設有覆銅層，組件外部采用環(huán)氧樹脂塑封材料包封，其特征在于陶瓷基板上的覆銅層上設有經(jīng)焊錫焊接固定的信號引線腳、功率引線腳及功率控制電路，功率控制電路由兩個IGBT功率拓撲電路組成；

其中第一個功率拓撲電路是由兩只C、E極不連接的IGBT半橋電路組成，并由一只高壓驅(qū)動IC進行驅(qū)動，上臂IGBT的E極和下臂IGBT的C極分別串有FRD；

第二個功率拓撲電路是由兩只C、E極相連接的IGBT標準半橋拓撲組成，并由另外一只高壓驅(qū)動IC進行驅(qū)動，上下臂IGBT分別由兩只芯片并聯(lián)而成；

上述兩個功率拓撲電路的每只IGBT都并接有續(xù)流FRD。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PDP功率集成模塊，其特征在于第一個功率拓撲電路設有兩個以上并聯(lián)的FRD芯片，第二個功率拓撲電路設有兩個以上并聯(lián)的IGBT芯片。

3.一種如權(quán)利要求1所述PDP功率集成模塊的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

步驟A：在一塊DBC絕緣散熱基板上加工覆銅層線路，印刷阻焊定位框，

步驟B：按所述的PDP功率集成模塊的結(jié)構(gòu)，使用焊錫將IGBT和FRD半導體器件以及驅(qū)動保護電路HVIC，焊接固定在DBC基板上的覆銅層上，

步驟C:?IGBT和FRD芯片之間由鍵接鋁線進行鍵接，實現(xiàn)半導體器件之間的電氣連接，

步驟D:?將信號引線腳以及功率引線腳通過焊錫焊接固定在DBC基板上的覆銅層上，實現(xiàn)組件與外部的電氣連接，

步驟E：涂敷芯片保護材料，

步驟F：將焊接好的DBC組件放在環(huán)氧樹脂包封機上，并注入環(huán)氧樹脂包封材料，熱固成型，并設有散熱器固定孔，用于實現(xiàn)同外接散熱器的良好接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種PDP功率集成模塊的制作方法，其特征在于步驟D中外接引線腳采用雙列直插式結(jié)構(gòu)，引線腳間距采用國際標準間距或其整倍數(shù)，引線腳由寬度方向的兩側(cè)引出并向下彎曲90°。

5.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種PDP功率集成模塊的制作方法，其特征在于步驟D中外接引線腳中除最邊上的一只信號引線腳采用與功率引線腳相同的機械尺寸外，其余信號引線腳均采用較細引腳。