[發明專利]一種掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法有效
| 申請號： | 200910303914.4 | 申請日： | 2009-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN101598645A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 趙珉;陳寶欽;劉明;牛潔斌 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/32;G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 | 代理人： | 王建國 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掃描電鏡 放大 倍率 校準 標準 樣品 制作方法 | ||
1.一種掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟1：將硅襯底表面進行處理，并在所述硅襯底上涂覆電子束光刻抗蝕劑；
步驟2：將涂覆有所述電子束光刻抗蝕劑的所述硅襯底進行烘烤；
步驟3：對烘烤后的所述硅襯底進行單線曝光模式下的電子束直寫曝光；
步驟4：對電子束直寫曝光后的所述硅襯底進行顯影、定影、干燥及退火處理，并在處理后的硅襯底表面覆蓋金屬薄膜，形成掃描電鏡放大倍率校準標準樣品。
2.根據權利要求1所述的掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述步驟4中在處理后的硅襯底表面覆蓋金屬薄膜的步驟具體為：通過電子束蒸發在處理后的硅襯底表面蒸鍍金屬薄膜。
3.根據權利要求2所述的掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為3nm。
4.根據權利要求1所述的掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述步驟1中將硅襯底表面進行處理的步驟具體包括：
步驟101：將待處理的硅襯底置于濃硫酸中加熱30分鐘，而后冷卻取出；
步驟102：將冷卻后的硅襯底置于去離子水中清洗；
步驟103：干燥清洗后的硅襯底，并在100℃下烘烤5分鐘。
5.根據權利要求1或4所述的掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述步驟2具體為：將涂覆有電子束光刻抗蝕劑的所述硅襯底置于180℃的熱板上烘烤2分鐘。
6.根據權利要求1或4所述的掃描電鏡放大倍率校準標準樣品的制作方法，其特征在于，所述步驟4中對電子束直寫曝光后的所述硅襯底進行退火處理的步驟具體為：將進行顯影、定影及干燥處理后的硅襯底在300-450℃的管式電阻爐中處理20-30分鐘。
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