[發(fā)明專利]磁控濺射靶座及具有該磁控濺射靶座的磁控濺射裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910303647.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-06-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101928928A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡泰生 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/50 | 分類號(hào)： | C23C14/50;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁控濺射 具有 裝置 | ||
1.一種磁控濺射靶座，其用于承載一靶材，該磁控濺射靶座包括一磁鐵組件、一冷卻水路及一承載件，該承載件用于承載該磁鐵組件及該冷卻水路并使該磁鐵組件抵持該靶材的表面，其特征在于，該磁鐵組件包括多排間隔收容于該承載件上的磁柱組，每排磁柱組均包括多個(gè)收容于該承載件上的磁柱，同一排磁柱組中的所有磁柱的同性磁極的朝向相同以共同形成一磁極，相鄰兩排的磁柱組形成的磁極相反，該冷卻水路繞設(shè)于相鄰兩排的磁柱組之間。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶座，其特征在于，該承載件開(kāi)設(shè)多個(gè)用于收容該多個(gè)磁柱的收容孔及一個(gè)用于收容該冷卻水路的收容通道。
3.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶座，其特征在于，該冷卻水路包括一個(gè)用于灌水的進(jìn)水口及一個(gè)用于排水的出水口。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶座，其特征在于，該冷卻水路鑲嵌在該承載件靠近該靶材的一側(cè)以使該冷卻水路抵持靶材的表面。
5.一種磁控濺射裝置，其包括一靶材及一其用于承載該靶材的磁控濺射靶座，該磁控濺射靶座包括一磁鐵組件、一冷卻水路及一承載件，該承載件用于承載該磁鐵組件及該冷卻水路并使該磁鐵組件抵持該靶材的表面，其特征在于，該磁鐵組件包括多排間隔收容于該承載件上的磁柱組，每排磁柱組均包括多個(gè)收容于該承載件上的磁柱，同一排磁柱組中的所有磁柱的同性磁極的朝向相同以共同形成一磁極，相鄰兩排的磁柱組形成的磁極相反，該冷卻水路繞設(shè)于相鄰兩排的磁柱組之間。
6.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射裝置，其特征在于，該承載件開(kāi)設(shè)多個(gè)用于收容該多個(gè)磁柱的收容孔及一個(gè)用于收容該冷卻水路的收容通道。
7.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射裝置，其特征在于，該冷卻水路包括一個(gè)用于灌水的進(jìn)水口及一個(gè)用于排水的出水口。
8.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射靶座，其特征在于，該冷卻水路鑲嵌在該承載件靠近該靶材的一側(cè)以使該冷卻水路抵持靶材的表面。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
