[發(fā)明專利]一種電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910302914.2
• 申請(qǐng)日: 2009-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN101577310A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉明;李穎弢;龍世兵;王琴;劉琦;張森;王艷;左青云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;G11C11/56
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 劉鐵生

1.一種電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，包括上電極、下電極以及位于所述上電極和下電極之間的電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層，其特征在于，所述上電極和下電極均由功函數(shù)為4.5電子伏～6電子伏的材料制成，所述電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層為由P型半導(dǎo)體二元金屬氧化物制成的薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述上電極由金屬材料和金屬合金材料中的一種或兩種制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述下電極由金屬材料和金屬合金材料中的一種或兩種制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述金屬材料為Au、Co、Ir、Re、Pd或者Pt。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述金屬合金材料為Ti-Pt、Co-Ni或者Pt-Hf。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述P型半導(dǎo)體二元金屬氧化物為Cu2O、NiO、MoO2、MnO、MnO2、Bi2O3、VO2或者PdO。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其特征在于，所述上電極或者下電極的厚度各為10納米～300納米，所述電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層的厚度為20納米～200納米。

8.一種電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：

步驟一：在襯底上形成功函數(shù)為4.5電子伏～6電子伏的下電極；步驟二：在所述下電極上形成一P型半導(dǎo)體二元金屬氧化物薄膜作為電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層；步驟三：在所述電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層上形成功函數(shù)為4.5電子伏～6電子伏的上電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述下電極和上電極均為通過物理汽相沉積和化學(xué)汽相沉積形成，所述物理汽相沉積包括電子束蒸發(fā)或者濺射

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層為通過電子束蒸發(fā)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積或者原子層沉積形成。