[發(fā)明專利]低結電容過壓保護晶閘管器件芯片及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910301945.6
• 申請日: 2009-04-29
• 公開（公告）號: CN101587907A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設計）人: 黎重林;王成森;薛治祥;顏呈祥;吳家健
• 申請（專利權）人: 啟東市捷捷微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L21/332;H01L23/62
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司
• 代理人: 郭俊玲

1.一種低結電容過壓保護晶閘管器件芯片的生產(chǎn)方法，該方法包括以下步驟：硅片拋光、氧化、P型短基區(qū)擴散、光刻N⁺發(fā)射區(qū)窗口、N⁺發(fā)射區(qū)擴散、光刻刻蝕溝槽、溝槽腐蝕、玻璃鈍化、光刻引線孔、雙面蒸鍍電極、合金、芯片測試和鋸片，其特征是在硅片氧化步驟后，P型短基區(qū)擴散步驟之前，先做雙面光刻N型離子注入?yún)^(qū)，利用氧化膜的掩蔽作用，采用雙面N型離子注入，N型離子注入?yún)^(qū)的注入劑量為5E12～2.0E14?ions/cm²，N型離子注入?yún)^(qū)的寬度為30～150um；在N型離子注入氧化和擴散后，形成一個局部的N型摻雜區(qū)；經(jīng)過P型短基區(qū)擴散后，最終形成了一個在P型短基區(qū)下的N型區(qū)域埋層，該N型區(qū)域埋層的摻雜濃度為1.0E15～6.0E15cm^-3。