[發明專利]一種背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法

無效

• 申請號: 200910301768.1
• 申請日: 2009-04-23
• 公開（公告）號: CN101540287A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 徐靜波;付曉君;張海英
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;B82B3/00
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 王建國

1.一種背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其制作方法步驟如下：

(1)在襯底上表面生長介質；

(2)在襯底背面制作背柵電極；

(3)在介質上表面制作底層源漏電極；

(4)對ZnO納米線進行初步定位；

(5)通過納米操控技術將ZnO納米線放置在底層源漏電極上；

(6)在底層源漏電極上制作頂層源漏電極。

2.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中的介質是在襯底上表面利用射頻等離子體增強化學氣相沉積技術生長SiO2所得到的柵氧介質。

3.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(2)中的背柵電極是在襯底背面蒸發金屬制得的。

4.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(3)中的底層源漏電極是通過在介質上表面經過光刻、蒸發、剝離步驟制作電極金屬得到的。

5.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中對ZnO納米線進行初步固定是通過交流雙向介電電泳技術，其固定步驟如下，將ZnO納米線材料放入異丙醇溶液內超聲降解，再將含有ZnO納米線的溶液滴于底層源漏電極之間的區域；在源漏電極兩端施加交流電壓，形成非均勻電場，并使電場內的中性微粒產生極化，ZnO納米線在電場的作用下，由雜亂無序的排列逐漸變為較一致的取向，實現批量ZnO納米線的可控驅動與初步定位。

6.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(5)中將ZnO納米線放置在底層源漏電極上的步驟如下，在原子力顯微鏡下，利用探針精確操控指定的ZnO納米線，將納米線放至底層源漏電極之上，實現多根懸浮ZnO納米線的規則排列，以及其與源漏電極的精確組裝，并將多余納米線撥離源漏電極。

7.如權利要求1所述的背柵ZnO多納米線溝道場效應晶體管的制作方法，其特征在于：所述步驟(6)的頂層源漏電極是依次進行光刻電極圖形、蒸發金屬、金屬剝離制得的。