[發(fā)明專利]一種基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910301765.8
• 申請日: 2009-04-23
• 公開（公告）號: CN101540284A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐靜波;張海英
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;B82B3/00;H01L29/06
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 王建國

1.一種基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：制作方法步驟如下：

(1)在襯底的正面生長介質(zhì)；

(2)在介質(zhì)上面制作ZnO納米線定位標(biāo)記；

(3)將ZnO納米線轉(zhuǎn)移并淀積在介質(zhì)上；

(4)利用定位標(biāo)記對ZnO納米線進(jìn)行定位；

(5)在介質(zhì)上制作電極，且與ZnO納米線相連。

2.如權(quán)利要求1所述的基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中生長介質(zhì)是利用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)PECVD，在P+-Si器件襯底的正面生長SiO2作為介質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1所述的基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟(2)制作ZnO納米線定位標(biāo)記的過程如下：在P+-Si器件襯底的正面依次進(jìn)行光刻定位標(biāo)記圖形、蒸發(fā)金屬、金屬剝離，形成周期性排列的十字型標(biāo)記，為后續(xù)的ZnO納米線定位工藝提供十字型定位標(biāo)記。

4.如權(quán)利要求1所述的基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟(3)將ZnO納米線轉(zhuǎn)移并淀積的過程如下：將ZnO納米線材料浸泡于異丙酮溶液中，采用超聲降解技術(shù)，使納米線從生長襯底表面脫落，懸浮于異丙酮溶液；將含有ZnO納米線的異丙酮溶液滴于P+-Si器件襯底的正面，完成ZnO納米線的轉(zhuǎn)移和淀積。

5.如權(quán)利要求1所述的基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中對ZnO納米線進(jìn)行定位是在高倍顯微鏡下，觀察ZnO納米線，利用十字型標(biāo)記，為后續(xù)光刻工藝提供ZnO納米線的準(zhǔn)確位置。

6.如權(quán)利要求1所述的基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟(5)中電極是在介質(zhì)上依次進(jìn)行光刻電極圖形、蒸發(fā)功函數(shù)大于ZnO功函數(shù)的金屬、金屬剝離制得的，制得的電極與ZnO納米線相連，得到整流二極管。