[發明專利]增益自舉型C類反向器及其應用電路

無效

• 申請號: 200910301712.6
• 申請日: 2009-04-21
• 公開（公告）號: CN101692603A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 羅豪;韓雁;黃小偉;蔡坤明;張昊;韓曉霞
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H03K3/01
• 分類號: H03K3/01;H03K3/356
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 吳無懼;劉思寧

1.一種增益自舉型C類反向器，它包括

C類反向器(32)采用共源共柵結構，用于實現運算放大功能；

其特征在于：它還包括

第一增益自舉模塊(30)，用于和第二PMOS管M3一起形成增益自舉結構；

第二增益自舉模塊(31)，用于和第二NMOS管M4一起形成增益自舉結構；

PMOS體電位調制模塊(33)，用于第一PMOS管M1的體電位調制，所述的PMOS體電位調制 模塊(33)由第三PMOS管M5和電阻R1組成，其中第三PMOS管M5與第一PMOS管M1版圖匹配對稱， 寬長比成固定比例，且第三PMOS管M5上施加的柵源電壓與第一PMOS管M1在穩態時的柵源偏置 電壓相同；第三PMOS管M5的源端和體端均接第二參考電平V_DDH，第三PMOS管M5的漏端與第一 PMOS管M1的體端相連，第三PMOS管M5的漏端同時與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接第 三參考電平V_DDL；電阻R1將第三PMOS管M5的漏源電流轉換為所述的PMOS體電位調制模塊(33) 的輸出電壓信號V_BP，并將輸出電壓信號V_BP反饋到第一PMOS管M1體端，用以體電位調制，第三 PMOS管M5源端電位決定第一PMOS管M1體電位調制范圍的最大值，電阻R1另一端電平決定第一 PMOS管M1體電位調制范圍的最小值；

NMOS體電位調制模塊(34)，用于第一NMOS管M2的體電位調制，所述的NMOS體電位調制 模塊(34)由第三NMOS管M6和電阻R2組成，其中第三NMOS管M6與第一NMOS管M2版圖匹配對稱， 寬長比成固定比例，且第三NMOS管M6上施加的柵源電壓與第一NMOS管M2在穩態時的柵源偏置 電壓相同；第三NMOS管M6的源端和體端均接第二參考地GNDL，第三NMOS管M6的漏端與第一NMOS 管M2的體端相連，第三NMOS管M6的漏端同時連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接第三參考 地GNDH；電阻R2將第三NMOS管M6的漏源電流轉換為所述的NMOS體電位調制模塊(34)的輸出 電壓信號V_BN并反饋到第一NMOS管M2體端，第三NMOS管M6源端電位決定第一NMOS管M2體電位調 制范圍的最大值，電阻R2另一端電平決定第一NMOS管M2體電位調制范圍的最小值。

2.根據權利要求1所述的增益自舉型C類反向器，其特征在于：

第一增益自舉模塊(30)是由第四PMOS管M7和第四NMOS管M9構成，其中第四PMOS管M7的 柵極與第二PMOS管M3的源極相連，第四PMOS管M7的漏極與第二PMOS管M3的柵極相連，第四NMOS 管M9采用的是二極管接法，用作第一增益自舉模塊(30)的負載，而第四PMOS管M7和第四NMOS 管M9體端分別接PMOS體電位調制模塊(33)、NMOS體電位調制模塊(34)的輸出電壓V_BP和V_BN， 第四PMOS管M7、第四NMOS管M9和第二PMOS管M3共同形成電流-電壓反饋，形成增益自舉結構；

第二增益自舉模塊(31)由第五PMOS管M10和第五NMOS管M8構成，其中第五NMOS管M8的 柵極與第二NMOS管M4的源極相連，第五NMOS管M8的漏極與第二NMOS管M4的柵極相連，第五PMOS 管M10采用的是二極管接法，用作增益自舉模塊31的負載，而第五NMOS管M8和第五PMOS管M10 的體端分別接NMOS體電位調制模塊(34)、PMOS體電位調制模塊(33)的輸出電壓V_BN和V_BP， 第五NMOS管M8、第五PMOS管M10和第二NMOS管M4共同形成電流-電壓反饋，形成增益自舉結構。

3.一種偽差分結構開關電容積分器，其特征在于：它包含二個權利要求1或2所述的增益 自舉型C類反向器(40)，二個增益自舉型反向器(40)分別位于積分器正向和負向支路，差 分對稱形成偽差分結構。