[發(fā)明專利]一種使用太陽爐提純硅材料的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910301389.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101549868A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳應(yīng)天;林晨星;何祚庥;林文漢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陳應(yīng)天 |
| 主分類號(hào): | C01B33/037 | 分類號(hào): | C01B33/037 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230000安徽省合肥市金寨*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 使用 太陽 提純 材料 方法 | ||
1.一種使用太陽爐對(duì)普通金屬硅與添加劑的固體混合物制成的固體料棒進(jìn)行光加熱以去除金屬硅中的硼與磷及其他金屬雜質(zhì)的方法,其特征是在空氣中對(duì)用金屬硅與添加劑的固體混合物制成的固體料棒進(jìn)行直接的光加熱和高強(qiáng)度輻射,所制成的固體料棒可以用懸吊,側(cè)握或其他裝夾方式固定,免除了坩堝的使用,被加熱物質(zhì)受光后迅速熔化促進(jìn)快速的光化學(xué)反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是光加熱的效果是使被加熱物體達(dá)到1700℃-2000℃之間的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是太陽爐的聚光倍數(shù)為一萬倍以上。
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