[發(fā)明專利]一種氮化硅基封孔涂層的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910272706.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-11-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101700985A | 公開(公告)日: | 2010-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳斐;楊瑩;沈強(qiáng);王傳彬;張聯(lián)盟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B41/87 | 分類號(hào): | C04B41/87 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 硅基封孔 涂層 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及陶瓷封孔涂層材料領(lǐng)域,特別是涉及一種在氮化硅基多孔陶瓷表面制備致密 的氮化硅基封孔涂層的方法。
背景技術(shù)
近年來,氮化硅基多孔陶瓷因同時(shí)具有氮化硅陶瓷和多孔陶瓷的優(yōu)異性能而受到全球材 料界的高度關(guān)注。氮化硅陶瓷具有耐高溫、耐腐蝕、抗熱震、硬度高、韌性好、熱膨脹系數(shù) 低等特點(diǎn);而氮化硅基多孔陶瓷除具有氮化硅陶瓷的優(yōu)異性能外,還具有體積密度小、比表 面積大、熱導(dǎo)率低、介電常數(shù)和介電損耗低等特點(diǎn),因此其在氣體和液體凈化分離、化工催 化載體、傳感器和航空航天電磁窗口等方面具有重要的應(yīng)用前景。但是,氮化硅基多孔陶瓷 的抗粒子侵蝕能力差,表面易吸潮,且表面粗糙,存在大量微裂紋,嚴(yán)重影響其力學(xué)強(qiáng)度和 電學(xué)、熱學(xué)等物理性能。為此,在氮化硅基多孔陶瓷表面制備致密的封孔涂層是解決上述問 題的有效途徑,不僅可以改善氮化硅基多孔陶瓷的防潮抗?jié)B性能,進(jìn)一步提高其力學(xué)強(qiáng)度、 耐磨性和抗粒子沖蝕等性能,而且還可以提高其電學(xué)和熱學(xué)等物理性能的穩(wěn)定性。
封孔涂層材料按成分可分為有機(jī)封孔涂層和無機(jī)封孔涂層兩大類。對(duì)于陶瓷基復(fù)合材料, 有機(jī)封孔涂層不耐高溫,且耐磨性差;而采用氮化硅作為氮化硅基多孔陶瓷的封孔涂層材料, 由于二者的化學(xué)和物理性能相似,可以滿足氮化硅基多孔陶瓷的各項(xiàng)使用要求和物理性能。 封孔涂層的制備方法主要有噴涂法、溶膠-凝膠法、氣相沉積法、復(fù)合鍍層法、激光法等。 由于氮化硅在1900℃即分解為硅和氮?dú)猓捎脽釃娡糠ㄆ鋰娡繙囟仍?000℃以上,無法得 到涂層;溶膠-凝膠法必須得到分散性好、穩(wěn)定性好的溶膠,不適宜于氮化硅材料;化學(xué)氣 相沉積法制備的涂層厚度都在納米數(shù)量級(jí),無法滿足封孔涂層的要求。因此,需要探索一種 新的涂層制備工藝,在氮化硅多孔陶瓷基體上制備氮化硅基致密封孔涂層。
通過對(duì)國(guó)內(nèi)外專利與文獻(xiàn)的查新結(jié)果表明:還沒有關(guān)于采用氮化硅和常溫噴涂法在氮化 硅基多孔陶瓷表面制備封孔涂層的報(bào)道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種比較簡(jiǎn)易的方法,利用常溫噴涂工藝,在氮化 硅基多孔陶瓷表面得到致密的、厚度可控的氮化硅基封孔涂層。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案:
本發(fā)明采用氧化鎂、氧化鋁、氧化硅作為燒結(jié)助劑,聚乙烯醇作為粘結(jié)劑,三聚磷酸鈉 作為分散劑,水作為溶劑,然后按下述步驟制備氮化硅基封孔涂層:
(1)將氮化硅、氧化鎂、氧化鋁、氧化硅粉體按重量配比為(50~60)∶(6~12)∶ (4~8)∶(20~30)均勻混合,再加入與混合物的質(zhì)量百分比為0.3%的聚乙烯醇、0.3 %的三聚磷酸鈉、0.8~1%的水進(jìn)行球磨混合,得到氮化硅基料漿,
(2)將氮化硅基料漿利用常溫噴涂的方法在試樣進(jìn)行涂覆,得到涂覆的生坯,所述試樣 是指氮化硅基多孔陶瓷表面,
(3)將生坯在常溫條件下干燥12~24小時(shí),
(4)將干燥后的生坯在200~400℃進(jìn)行排膠并保溫5~24小時(shí),將熱處理后的產(chǎn)物在 1400~1700℃氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下常壓燒結(jié),控制升溫速率為50~200℃/小時(shí)和保溫時(shí)間為1~5 小時(shí),即得到氮化硅基封孔涂層。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下主要的優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明通過調(diào)制氮化硅基料漿,在氮化硅基多孔陶瓷基體表面利用常溫噴涂的方法制備 生坯并于高溫?zé)浦苽涞杌饪淄繉印槭沟杌饪淄繉优c氮化硅基多孔陶瓷滿足 熱物理性能的匹配,采用氧化鎂、氧化鋁、氧化硅作為燒結(jié)助劑,一是為實(shí)現(xiàn)封孔涂層的致 密化燒結(jié),二是為調(diào)配封孔涂層的熱膨脹系數(shù)并使之與氮化硅基多孔陶瓷基體的熱膨脹系數(shù) 接近。制備得到的得到的氮化硅基封孔涂層的主相為α-氮化硅或β-氮化硅,厚度為10~ 100μm,結(jié)構(gòu)致密,維氏硬度值1~5GPa,結(jié)合強(qiáng)度大于10MPa,氮化硅基多孔陶瓷基本保 持了初始的形貌特征,且與封孔涂層結(jié)合良好,界面清晰、平整,無微觀裂紋。
本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、原料和工藝成本低、可重復(fù)性好等特點(diǎn),所制備的氮化硅基封孔 涂層具有厚度均勻可控,結(jié)構(gòu)致密,與氮化硅基多孔陶瓷基體結(jié)合良好,無微觀裂紋等優(yōu)異 性能。
附圖說明
圖1是實(shí)施例1產(chǎn)物的X射線衍射圖。
圖2是實(shí)施例1產(chǎn)物斷口的掃描電鏡圖以及X射線能譜分析結(jié)果。
具體實(shí)施方式
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