[發明專利]半導體器件的制造方法以及半導體器件和電子裝置

在審

• 申請號: 200910266230.1
• 申請日: 2005-09-26
• 公開（公告）號: CN101740584A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱海煜;李家麟

1.一種半導體器件，包括：

第一導電層；

在第一導電層上提供的至少包含溝道形成區、源區和漏區的薄膜晶體管；

覆蓋所述薄膜晶體管的第一絕緣層；以及

在第一絕緣層上提供的第二導電層，

其中第二導電層通過在第一絕緣層中提供的第一開口電連接到所述薄膜晶體管的源區和漏區這兩者之一，且通過在第一絕緣層中提供的第二開口電連接到第一導電層。

2.一種半導體器件，包括：

在襯底上提供的第一導電層；

覆蓋第一導電層的第一絕緣層；

在第一絕緣層上提供的至少包含溝道形成區、源區和漏區的薄膜晶體管；

覆蓋所述薄膜晶體管的第二絕緣層；以及

在第二絕緣層上提供的第二導電層，

其中第二導電層通過在第二絕緣層中提供的第一開口電連接到所述薄膜晶體管的源區和漏區這兩者之一，且通過在第一絕緣層和第二絕緣層這兩者的每一個中提供的第二開口電連接到第一導電層。

3.一種半導體器件，包括：

在襯底上提供的第一導電層；

覆蓋第一導電層的第一絕緣層；

覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層；

在第二絕緣層上提供的至少包含溝道形成區、源區和漏區的薄膜晶體管；

覆蓋所述薄膜晶體管的第三絕緣層；以及

在第三絕緣層上提供的第二導電層，

其中第二導電層通過在第三絕緣層中提供的第一開口電連接到所述薄膜晶體管的源區和漏區這兩者之一，且通過在第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層這三者的每一個中提供的第二開口電連接到第一導電層。

4.根據權利要求2或3的半導體器件，其中所述襯底具有柔性。

5.根據權利要求1-3中的任一項的半導體器件，其中第一導電層用作天線。

6.根據權利要求1-3中的任一項的半導體器件，其中所述薄膜晶體管包含側壁絕緣層。

7.根據權利要求1-3中的任一項的半導體器件，其中第一導電層通過含有導電顆粒的樹脂電連接到第二導電層。

8.根據權利要求1-3中的任一項的半導體器件，其中第一導電層設有凸塊，且第一導電層通過所述凸塊和含有導電顆粒的樹脂電連接到第二導電層。

9.一種電子裝置，具有根據權利要求1-3中的任一項的半導體器件。