[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 200910265544.X
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN101771118A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 文用泰
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種發光器件，包括：

有源層；

在所述有源層上的第一導電半導體層；

在所述有源層上的第二導電半導體層，使得所述有源層設置在所述第 一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間；和

在所述第一導電半導體層的一部分中的稀土元素注入層，

在所述第一導電半導體層的未形成所述稀土元素注入層的區域上的第 一電極層，

其中所述第一電極層不與所述稀土元素注入層垂直交疊。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述稀土元素注入層在所述第 一導電半導體層的表面部分中。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述稀土元素注入層包括選自 Er、Eu、Pr、Tb、Dy、Ce、Sm、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Pm和Tm中 的至少一種。

4.根據權利要求1所述的發光器件，還包括在所述第一導電半導體層上 的未摻雜的半導體層，

其中所述稀土元素注入層形成在所述未摻雜的半導體層中。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極層包括：

在所述第一導電半導體層上的反射層；和

在所述反射層上的第一電極。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述反射層包括歐姆層。

7.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：在所述第二導電半導體層 上的第二電極層。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二電極層包括第二歐姆 層、反射層、耦合層和第二襯底中的至少一個。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一導電半導體層包括光 子晶體結構。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述稀土元素注入層形成在所 述第一導電半導體層的光子晶體結構中。

11.一種發光器件，包括：

有源層；

在所述有源層上的第一導電半導體層；

在所述有源層上的第二導電半導體層，使得所述有源層設置在所述第 一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間；

在所述第一導電半導體層上的導電襯底；和

在所述導電襯底中的稀土元素注入層，

在所述導電襯底的未形成所述稀土元素注入層的區域上的第一電極 層，

其中所述稀土元素注入層具有粗糙結構。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述導電襯底包括單晶襯底或 者多晶襯底，所述單晶襯底或者多晶襯底包括選自氮化鎵、氧化鎵、氧化 鋅、碳化硅和金屬氧化物中的至少一種。

13.根據權利要求11所述的發光器件，還包括在所述導電襯底的一部分上 形成的光子晶體結構。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中所述稀土元素注入層部分地形 成在包括所述光子晶體結構的所述導電襯底中。

15.根據權利要求11所述的發光器件，還包括在所述導電襯底上的未摻雜 的半導體層，

其中所述稀土元素注入層形成在所述未摻雜的半導體層中。

16.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述第一電極層包括：

在所述第一導電半導體層上的反射層；和

在所述反射層上的第一電極。

17.根據權利要求16所述的發光器件，其中所述反射層包括歐姆層。

18.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述稀土元素注入層在所述導 電襯底的表面部分中。

19.根據權利要求11所述的發光器件，還包括在所述第二導電半導體層上 的第二電極層。

20.根據權利要求19所述的發光器件，其中所述第二電極層包括第二歐姆 層、反射層、耦合層和第二襯底中的至少一個。