[發明專利]一種半導體副柵極一金屬主柵極晶體硅太陽電池制備方法

無效

• 申請號: 200910264900.6
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN101826573A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 屈盛
• 申請（專利權）人: 歐貝黎新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于它由多條半導體副柵極(1)和幾條金屬電極主柵線(2)組成，其中這些半導體副柵極(1)是硅片表面因重摻雜而形成的細線條區域，幾條金屬電極主柵線(2)將多條半導體副柵極1相互連接在一起。

2.根據權利要求1所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于它的制備步驟：一、硅片表面織構化，二、絲網印刷磷漿料細線，三、高溫擴散獲得低方塊電阻的細柵線和方塊電阻合適的其它發射區，四、去除周邊或背面PN結，五、去除磷硅玻璃，六、鍍減反射膜，七、絲網印刷背面電極及背面鋁漿料并烘干，八、絲網印刷正面銀漿料主柵線，九、電極共燒結。

3.根據權利要求1所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的多條半導體副柵極(1)優先地采用在P型硅片表面上絲網印刷出高濃度磷漿料柵線圖案，然后進行高溫熱擴散而獲得。

4.根據權利要求1所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的多條半導體副柵極(1)還可以采用先在整個P型硅片正表面上絲網印刷高濃度磷漿料，然后采用激光選擇性加熱硅片表面而獲得。

5.根據權利要求1所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的多條半導體副柵極(1)線條寬度在10-150μm，條數可以根據需要調整，每厘米長度內的條數為2-50條。

6.根據權利要求2所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的硅片表面織構化是指采用酸、堿濕法腐蝕的方法在硅片表面腐蝕出微小的凹坑結構。

7.根據權利要求2所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的去除周邊或背面PN結是指采用酸、堿等濕法腐蝕的方法將擴散中在硅片周邊和背面的PN結去除掉。

8.根據權利要求2所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的鍍減反射膜是指采用等離子體增強化學氣相沉積的方法在硅片表面沉積氮化硅減反射膜。

9.根據權利要求2所述的一種半導體副棚極一金屬主棚極晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于所述的鍍減反射膜還可以先采用高溫熱氧化的方法在硅片表面生長一層二氧化硅薄膜，然后再采用常壓化學氣相沉積的方法再在二氧化硅層上沉積二氧化鈦薄膜層。