[發(fā)明專利]牙科根管銼表面污染物的去除方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910264853.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-12-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101716583A | 公開(公告)日: | 2010-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張懷勤;姚紅;黃彥;楊建榮;陸金星;沈鴿蘭;馬俊馳;陳淑;吳紅梅;王宇群;陸英群;袁苗;卞潔;金思遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京醫(yī)科大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B08B7/00 | 分類號(hào): | B08B7/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳;柏尚春 |
| 地址: | 210029 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 牙科 根管銼 表面 污染物 去除 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種口腔診療器械的消毒方法,具體涉及牙科根管銼表面污染物的去除方法。
背景技術(shù)
衛(wèi)生部關(guān)于印發(fā)《醫(yī)療機(jī)構(gòu)口腔診療器械消毒技術(shù)操作規(guī)范》的通知(衛(wèi)醫(yī)發(fā)[2005]73號(hào))要求:1、進(jìn)入病人口腔內(nèi)的所有診療器械,必須達(dá)到“一人一用一消毒或者滅菌”的要求。2、凡接觸病人傷口、血液、破損粘膜或者進(jìn)入人體無菌組織的各類口腔診療器械,包括牙科手機(jī)、車針、根管治療器械、拔牙器械、手術(shù)治療器械、牙周治療器械、敷料等,使用前必須達(dá)到滅菌。
針對(duì)上述要求,目前口腔診療器械使用后,先用流動(dòng)水手工刷洗,然后使用加酶洗液(3M公司產(chǎn)品)清洗,再采用超聲波清洗機(jī)BRANSON?B8510(美國必能信公司產(chǎn)品)清洗,最后將清洗后的器械經(jīng)壓力蒸汽滅菌。但國內(nèi)外學(xué)者發(fā)現(xiàn)雖然牙科根管銼經(jīng)過這一系列清洗流程,表面仍然附有污染物(見圖1)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供牙科根管銼表面污染物的去除方法,該方法可以有效去除污染物。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的思路是:采用非反應(yīng)性氬氣等離子體對(duì)牙科根管銼表面處理,因氬氣等離子體具有荷電集塵作用,使等離子體中的大量電子與污染物發(fā)生非彈性碰撞并粘附其表面從而使其荷電,在電場(chǎng)作用下,顆粒污染物被集塵極收集,從而解決牙科根管銼表面污染物難以去除的難題。
具體技術(shù)方案如下:
牙科根管銼表面污染物的去除方法,該方法包括以下步驟:
(1)將牙科根管銼放入低溫等離子體表面處理裝置的上下電極之間的平臺(tái)上;
(2)將體系抽真空至次大氣壓條件;
(3)以氬氣為處理氣體,調(diào)節(jié)氣體流量為1.2~1.5m3/h,充氣時(shí)間為10~15s;
(4)啟動(dòng)輝光放電低溫等離子體表面處理裝置開關(guān),系統(tǒng)自動(dòng)放電,對(duì)牙科根管銼表面進(jìn)行處理;
(5)放電結(jié)束后,系統(tǒng)自動(dòng)破真空,處理過程結(jié)束。
步驟(1)中,所述的牙科根管銼先經(jīng)過常規(guī)清洗過程,即依次經(jīng)過流動(dòng)水手工刷洗、加酶洗液清洗和超聲波清洗的步驟,該常規(guī)清洗過程為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的過程。
步驟(2)中,所述的次大氣壓條件為1500~2500Pa,優(yōu)選為2000Pa。
步驟(3)中,優(yōu)選的是,調(diào)節(jié)氣體流量為1.2m3/h,充氣時(shí)間為10s。
步驟(4)中,放電功率為180~200W,放電時(shí)間為20~25min;優(yōu)選的是,放電功率為200W,放電時(shí)間為20min。
有益效果:本發(fā)明方法解決了目前國內(nèi)外牙科根管銼表面污染物去除的難題。其顯著優(yōu)點(diǎn)是:
(1)低溫等離子體技術(shù)安全、環(huán)保、節(jié)省能源;
(2)低溫等離子體技術(shù)可在常溫下放電,對(duì)被處理材料無損傷,故可對(duì)多種畏熱器材,包括光纖內(nèi)窺鏡、陶瓷和玻璃制品、乳膠和高分子材料進(jìn)行處理;
(3)本發(fā)明低溫等離子體在次大氣壓條件輝光放電,具有氣氛含量高、功率密度大、處理效率高、處理時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),其處理效率要高于低氣壓輝光放電10倍以上。
附圖說明
圖1顯示經(jīng)常規(guī)多酶清洗劑浸泡、超聲清洗后,根管銼表面仍有污染物附著(掃描電鏡×400)。
圖2顯示經(jīng)常規(guī)清洗后、再等離子體處理后,根管銼表面清潔(掃描電鏡×400)。
具體實(shí)施方式
根據(jù)下述實(shí)施例,可以更好地理解本發(fā)明。然而,本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解,實(shí)施例所描述的具體的物料配比、工藝條件及其結(jié)果僅用于說明本發(fā)明,而不應(yīng)當(dāng)也不會(huì)限制權(quán)利要求書中所詳細(xì)描述的本發(fā)明。
以下實(shí)施例所用的低溫等離子體表面處理裝置為HPD-2400次大氣輝光放電低溫等離子體表面處理機(jī),購自于南京蘇曼電子有限公司。
實(shí)施例1:
(1)將依次經(jīng)過流動(dòng)水手工刷洗、加酶洗液清洗和超聲波清洗的步驟處理后的牙科根管銼放入低溫等離子體表面處理機(jī)的上下電極之間的平臺(tái),牙科根管銼擺放不宜超過上下電極之間高度,根管銼之間不宜堆疊,擺放面積不可超過上下電極金屬部分面積;
(2)使用真空泵將體系抽空至2000Pa,形成次大氣壓條件。次大氣壓輝光放電具有氣氛含量高、功率密度大、處理效率高、處理時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),其處理效率要高于低氣壓輝光放電10倍以上;
(3)以氬氣為處理氣體,調(diào)節(jié)氣體流量為1.2m3/h,充氣時(shí)間為10s,保證足夠氣氛支持放電;
(4)按下啟動(dòng)開關(guān),系統(tǒng)自動(dòng)放電,放電功率200W,放電時(shí)間20min,這樣能保證達(dá)到表面去除污染物效果;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京醫(yī)科大學(xué),未經(jīng)南京醫(yī)科大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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